氧化锌作为第三代半导体材料,以其优异的光电、压电等特性而备受研究人员的青睐。利用能带工程,在氧化锌基质晶格中掺入其它离子（Al......

讨论了集成电路向高集成度、高工作频率和高传输速率继续发展时，常规金属互连出现的困难以及集成电路芯片上光互连具有的潜在优势．介......

高度信息化社会的快速发展对先进光电子材料及光发射器件提出越来越高的要求。纵观半导体激光器的发展历程，每一次阶跃性的技术进步......

1引言Ⅲ族氮化物具有宽禁带、高击穿电压、异质结通道中高峰值电子漂移速度和高薄层电子浓度等特点,是大功率和高温半导体器件的理......

制作了ＤＢＲ／ＩＴＯ／ＰＰＶ／Ａ１微腔结构，研究了这种结构ＰＰＶ发光器件的光致发光和电致发光特性。实验结果表明，由简单地调节夹于两金属电极镜面之间的ＰＰＶ层厚度可实......

讨论了集成电路向高集成度、高工作频率和高传输速率继续发展时 ,常规金属互连出现的困难以及集成电路芯片上光互连具有的潜在优势......

ZnO作为一种宽禁带直接带隙半导体材料,其在室温下的禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV,是继GaN后第三代半导体材料的又一代......