溅射功率相关论文
利用直流磁控溅射法在有机玻璃基底上沉积掺杂氧化铟锡（ITO）透明导电薄膜，在室温条件下，研究了溅射功率、溅射气压、靶基距和氧氩流量......
近年来,微型化、智能化、集成化且成本经济的微机电系统受到广泛关注。TiNi基形状记忆合金薄膜具有良好的形状记忆效应、超弹性、......
氧化锌作为第三代半导体材料,以其优异的光电、压电等特性而备受研究人员的青睐。利用能带工程,在氧化锌基质晶格中掺入其它离子（Al......
氟化钇薄膜由于具有优良的光学性能常被用于红外波段,通过优化磁控溅射工艺,成功地在锗基底上实现了厚度大于1 μm的氟化钇薄膜的......
镁合金具有密度低、比强度高、比刚度高等优点，在汽车制造、航空航天、电子产品和生物医疗等领域具有广阔的应用前景。然而镁及其合......
报道了反应溅射沉积ＴｉＯ２薄膜，得到ＴｉＯ２薄膜的特性如沉积速率、透射率、导电性能、吸收系数等与反应气体的流量、溅射功率有关。通过控制氧气......
利用ＺＹＧＯ光学干涉测量仪，散射积分测量法观测了光学元件表面均方根粗糙度．详细分析了薄Ｓｉ膜对基底均方根粗糙度的影响，由此认为薄膜并不总是......
超分辨薄膜是一种能够实现突破光学衍射极限的功能薄膜,它在超分辨近场光存储技术中起到至关重要的作用。采用磁控溅射共溅的方式......
为获得性能优异的透明介质薄膜,采用射频磁控溅射技术,以ZnS陶瓷靶为靶材,在玻璃衬底上室温沉积纳米晶富锌ZnS薄膜,通过X射线衍射......
薄膜材料的发展与应用正在人民生活的各个方面发挥着重要作用。目前,人们对薄膜材料的研究在宽禁带半导体薄膜方面发展比较突出。Z......
三氧化钨(WO_3)薄膜是一种重要的无机电致变色材料,但是基于纯WO_3薄膜的电致变色器件在着色效率和循环稳定性等诸多方面远远不能......
采用直流磁控溅射的方法在普通玻璃衬底上沉积Mo薄膜,研究了工作压强、溅射功率对Mo薄膜的电学性能、表面形貌的影响.实验表明,在......
扩散阻挡层的选材是Cu互连工艺研究重点之一,目前在研的阻挡层中,由两种难熔金属组成的二元合金因具有与Si反应温度高、电阻率低、......
采用磁控溅射法,在玻璃基底上一步沉积In_2S_3薄膜。研究了溅射功率对In_2S_3薄膜的成分、结构、表面形貌和光电性能的影响。结果......
研究了６３２．８ｎｍ波长下适用的相变光盘介质Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５薄膜的制备方法和静态光存诸记录特性，发现该薄膜可在１００ｎｓ条件下实现直接重写，在优化膜层结构后，写擦循环......
研究了磁控溅射制备的Ａｇ５Ｉｎ５Ｔｅ４７Ｓｂ３３相变薄膜的光谱及短波长静态记录性能。研究结果表明，晶态薄膜反射率较高，并在６００～９００ｎｍ波长范围内，晶态与非晶态的反射率......
以Ag In Te Sb合金靶采用射频反应溅射在不同氧分压下制备了单层Ag In Te Sb O薄膜。对薄膜的反射光谱及光学常数 (n ,k)的研究结......
讨论了在低温下以高纯金属钒作靶材,用直流磁控溅射的方法制备出了氧化钒薄膜。通过设计正交试验,分析了氩气和氧气的流量比,溅射......
以氧化锌陶瓷靶和金属钴靶为靶材,利用磁控共溅射方法制备钴掺杂氧化锌(Co-ZnO)薄膜。研究了溅射功率对薄膜的结构、光学和电学性......
采用直流磁控溅射的方法在普通玻璃上制备了低价的氧化钒薄膜,在氧气和氩气混合气氛中,对所制备的薄膜进行不同时间的热处理,得到......
采用直流磁控溅射在316L不锈钢上制备了高质量的Al膜,并利用扫描电镜、X射线衍射仪分别对镀层的形貌和结构及应力进行了分析。结果......
为了提高半导体硅基表面电阻涂层的质量以及导电能力,选择磁控溅射工艺在其表面制得FeCrNiAl涂层,通过试验测试的方式对比了不同功......
期刊
本文在全面总结智能材料的研究现状和未来发展趋势的基础上,利用射频磁控溅射法制备NiTi/ZnO复合薄膜,并利用XRD、SEM、EDS、DMA、......
AlxZn1-xO三元化合物是一种新型的宽带隙的半导体材料,其ZnO的禁带宽度约为3.3eV,Al2O3的禁带宽度约为5.1eV,理论上可以让AlxZn1_x......
学位
CuAlO_2(CAO)p型透明导电薄膜是1997年Kawazoe等人基于价带化学修饰(CMVB)理论,首次制备出的铜铁矿结构p型直接带隙透明氧化物薄膜......
Al掺杂ZnO薄膜(AZO)是一种新型的透明导电薄膜,具有广泛应用前景。采用高密度AZO靶材用RF磁控溅射法在玻璃衬底上制备出AZO薄膜样......
全球的环境污染与生态破坏使人们对全新无污染的清洁生产给予极大关注。光催化技术是一种新兴、高效、节能的现代绿色环保技术，光催......
利用反应射频磁控溅射法,以单晶Si片为衬底,在不同功率下制备了氟化非晶碳膜样品,并进行了不同温度的退火处理.采用拉曼光谱、傅里......
采用直流磁控溅射法在PI柔性衬底上制备Cu膜.通过接触角测试仪、X射线衍射仪、四探针测试仪等仪器研究了Ar+轰击时间和溅射功率对......
采用磁控溅射在硅晶基体上制备NiZnCo铁氧体磁性薄膜,研究了溅射功率对溅射(沉积)速率和微观形貌的影响规律:随着溅射功率由80W增......
采用射频磁控溅射工艺,以Al掺杂ZnO(ZAO)陶瓷靶为靶材在石英玻璃基片上制备出具有优良光电性能的ZAO透明导电薄膜,研究了溅射功率......
研究了溅射功率对 Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５ 薄膜的光学常数与波长关系的影响，结果表明，在波长小于 ５００ｎｍ的情况下，随溅射功率的增加非晶态薄膜的折射率ｎ先增加然后......
期刊
本文采用直流磁控溅射沉积系统在玻璃基底上沉积镓掺杂氧化锌(GZO)薄膜,将溅射功率从120W调整到240W,步长为30W,研究功率变化对GZO......
研究了直流磁控溅射法制备的ITO薄膜的光电特性与溅射工艺参数的关系以及退火处理对ITO薄膜光电特性的影响.在低衬底温度、低溅射......
采用射频磁控溅射法在室温玻璃衬底上成功地制备出了铟镓锌氧(In-Ga-Zn-O)透明导电薄膜。研究了不同溅射功率对In-Ga-Zn-O薄膜结构......
期刊
通过射频磁控溅射法制备了Fe_Si_B_Nb_Cu薄膜 ,采用x射线衍射与M ssbauer谱相结合分析了薄膜的微结构形态 ,研究了不同溅射功率对......
利用直流磁控溅射法在室温玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的铝锆共掺杂氧化锌(ZAZO)透明导电薄膜。讨论了溅射功率对......
室温下,利用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了铝铬共掺杂氧化锌薄膜,研究了溅射功率(55-130 W)对薄膜结构、残余应力、表面形貌及......
在玻璃衬底上利用磁控溅射法制备AZO／Cu／AZO多层薄膜，研究了溅射功率对AZO薄膜的微观结构和光电性能的影响。采用X射线衍射（XRD）仪、扫......
氧化锌作为宽禁带半导体在室温下具有高激子束缚能(60 meV)、化学性能稳定、良好的压电性能和光学性能等优点,在光发射器件等光电......
在室温和不同功率下,用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了CdS薄膜.运用探针式台阶仪、x射线衍射分析仪、紫外可见分光光度计、扫描......
采用直流反应磁控溅射的方法,在石英衬底上制备Cu2O纳米薄膜,研究了工艺因素中的溅射气压、氧分压、气体流量、溅射功率对薄膜结构......
采用直流磁控溅射工艺，以Au为靶材在高阻半导体CdZnTe上制备导电薄膜。系统地研究了溅射功率对沉积速率、薄膜结构、组织形貌及接触......
探讨用磁控溅射法制备防紫外线PET织物的工艺条件及影响因素。用磁控溅射法在PET织物上制备纳米氟碳薄膜，在磁控溅射过程中对不同的......
