量子限制效应相关论文
人们发现在分子束外延实验中，Pb原子在Si（111）表面上可以生长出形状非常规则的Pb岛，在一些称为“幻数高度”的值，岛特别稳定。类似的情......
采用差分法求解有效质量方程，考虑轻重空穴的混合效应及应变效应，对三种不同形状的量子阱的能带结构、价带态密度、跃迁矩阵元进行了......
美国得克萨斯大学的一个研究小组用非常细的纳米线制造出一种晶体管,表现出明显的量子限制效应,纳米线的直径越小,电流越强。该技......
体硅由于是间接禁带半导体，因而其发光性能很差。但是当硅晶体的尺寸降为纳米尺寸时，带来了新的光学特性。自从在硅纳米晶镶嵌二氧化......
近年来,硅纳米线由于其特殊的物理性质和潜在的应用前景,越来越受到人们的重视。硅纳米线由于自身所特有的荧光、紫外等光学性质,......
微电子学在当今新技术革命中占有核心地位，大规模集成电路的普遍使用既是微电子学发展的重要成果，也是其重要标志。然而随着器件尺寸......
第一章分别介绍了多孔硅的研究背景、研究意义和研究历史,以及制备方法和形成机制,并且介绍了几种较有影响力的发光机制模型.第二......
采用脉冲激光沉积法制备了富硅二氧化硅薄膜、Si/SiO_2多层薄膜。通过原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、拉曼散射(Raman)等技......
碳化硅是一种具有良好的物理和化学性质的有广阔应用前景的间接宽带隙半导体。作为间接带隙半导体，它的块体材料的发光效率很低。然......
用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格．利用ＴＥＭ和Ｘ射线衍射技术对其结构进行了分析，并采用多种光谱测量手段，如Ｒａｍａｎ光谱、吸收光谱和光致发......
采用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD),在低衬底温度下制备了系列富硅量不同的富硅氮化硅薄膜,且所有样品分别经过不同温度的......
高度信息化社会的快速发展对先进光电子材料及光发射器件提出越来越高的要求。纵观半导体激光器的发展历程，每一次阶跃性的技术进步......
介绍一维硅纳米线的合成及控制硅纳米线直径的方法、生长机制和不同硅纳米线形态的生成机理以及硅纳米线的量子限制效应.......
硅纳米线是一种具有优异的物理、化学及力学性能的半导体材料,其独特的光致发光性能使硅纳米线有望在低维纳米材料发展的基础上实......
对一维硅纳米线测量了用不同波长激光激发的Ｒａｍａｎ光谱，发现了Ｒａｍａｎ光谱特征随入射光波长改变的“反常”现象．基于量子限制效应通过分析样品的晶......
本文介绍了用拉曼光谱研究CdSe和ZnO两种Ⅱ-Ⅳ族量子点材料的结果,对拉曼峰进行了指认.观察到的光学声子峰位的移动被认为是由量子......
研究了纳米硅在3K-250K温度范围的光致发光谱的特性。观测到纳米硅的三个发光峰,其中心波长分别为470nm、479nm和487nm。随着温度......
从实验和理论上,研究了量子限制效应对限制在GaAs/AIAs多量子阱中受主对重窄穴束缚能的影响.实验中所用的样品是通过分子束外延技......
本文介绍了用拉曼光谱研究CdSe和ZnO两种Ⅱ-Ⅳ族量子点材料的结果,对拉曼峰进行了指认.观察到的光学声子峰位的移动被认为是由量子......
从实验和理论上，研究了量子限制效应对GaAs／AlAs多量子阱中受主对重空穴束缚能的影响。实验中所用的样品是通过分子束外延生长的一系......
1研究意义砷化镓（GaAs）是最为重要的化合物半导体材料之一。砷化镓表面所形成的异质量子点具有光电转换效率高、量子限制效应强、量......
采用RF磁控溅射技术制备含纳米硅的SiO2薄膜．通过对Si-SiO2复合靶的比分进行调节控制，并在不同的温度下进行高温退火得到不同粒径的......
经过大量的实验得出硅纳米晶（Si-nc）的发光波长位置在750nm附近,从而验证了Si-nc的制备成功.其次,研究了在Si-nc的制备过程中制备不......
通过实验分别实现了固、液两种类型的多孔硅电致发光模型。根据液态下的化学反应，分析了“空穴消耗，电子注入”机制，解释了液态下电致......
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在低温下制备了富硅氢化氮化硅薄膜.利用红外吸收(IR)谱,光电子能谱(XPS)和光致发光(PL......
ZnO是一种性质优良很有前途的紫外光电子器件材料，多孔铝是一种良好的模板型衬底，试图将二者结合起来以制备出一种全新的光电功能材......
采用量子限制效应模型对镶嵌有纳米非晶硅粒子的氢化氮化硅薄膜的光吸收进行了理论模拟，探讨了由吸收谱分析给出该结构薄膜光学参数......
采用液相剥离法剥离MoS2块体材料,通过选择合适的剥离剂、超声时间、超声功率得到含有不同尺寸且分散均匀的MoS2混合纳米薄片悬浮......
采用射频磁控反应溅射技术制备了a-Si/SiNx超晶格材料,并采用热退火技术对材料进行处理。利用吸收光谱和X射线衍射谱对材料进行表......
ZnO缺陷发光及ZnO/GaN界面发光严重降低了n-ZnO/p-GaN发光二极管的性能。本文概述n-ZnO/p-GaN异质结的结构和发光存在的问题，详细介......
简述了近年来金属纳米材料的研究和发展情况；概述了金属纳米材料的特性、用途和粉体及块状金属纳米材料的制备；结合当今金属纳米材料......
从器件结构和能带的角度分析了提高非易失性存储器性能的可能途径，建立了纳米晶浮栅结构的存储模型，并在模型中考虑了量子限制效应对......
通过光致发光光谱，研究了量子限制效应对GaAs体材料中均匀掺杂和-系列GaAs／AlAs多量子阱（阱宽范围从30A到200A）中δ-掺杂浅受主杂质铍（B......
采用最新计算方法和半导体体材料传统量子计算结果,系统研究了14种半导体(Si,Ge,Sn,A1Sb,GaP,GaAs,GaSb,InP,InAs,InSb,ZnS,ZnSe,Z......
各种Si基纳米发光材料在Si基光电子器件及其全Si光电子集成技术中具有潜在的应用前景,从理论和实验上对其电子结构进行研究,有助于......
单元素半导体量子点的制备成功使光电集成成为可能。介绍了单元素半导体量子点的制备方法，包括射频磁控溅射技术、硅离子注入技术、......
系统地介绍了导致硅纳米线（SiNWs）光致发光（PL）的主要原理，如量子限制效应、量子尺寸效应、硅纳米颗粒发光机理和杂质缺陷发光机理。同......
以三辛基氧化膦（TOPO）作为溶剂,利用无水InCl3和P（Si（CH3）3）3之间的脱卤硅烷基反应合成了InP胶体量子点.其中,TOPO既作为反应溶剂又作为......
采用电化学腐蚀的方法制备多孔硅。对不同实验条件下所得到的多孔硅的拉曼光谱进行了分析，确认多孔硅是具有纳米晶结构特征的材料，肯......
多孔硅（porous silicon,PS）样品在氧等离子体环境中退火,探究了退火温度和时间对PS光学特性的影响,通过光致发光（photoluminescence,P......
10多年来，人们对纳米硅的制备方法、微结构特征以及发光机制等方面进行了深入的研究和探讨。重点对不同制备条件及后期处理条件下的......
发光多孔硅的发现为长期追求的硅基发光材料的研究开辟了一条新路.硅基发光材料的研究日益受到重视.为了实现硅基全色光显示,探寻......
据美国物理学家组织网11月14日报道,美国加利福尼亚大学伯克利分校研究人员开发出一种全新的二维半导体,这是一种由砷化铟制造的＂量......
报道了关于3C-SiC纳米颗粒量子限制效应的实验证据.将电化学腐蚀3C-SiC多晶靶材得到的多孔材料在水溶液中进行超声处理,制备出发光......
用荧光分光光度法现场监测了多孔硅于甲酸-甲酸钠溶液阳极偏压下的电致发光行为发现该体系的电致发光峰值随着阳极偏压增大而发生......
介绍了两大类纳米尺度加工技术高分辨率技术和工艺流程控制形成纳米尺度技术。其中高分辨率技术是微电子光刻技术的延伸，包括高效率......
采用直流电化学腐蚀的方法在不同电流密度下制备了多孔硅样品.用SEM,FTIR,PL谱研究了制备样品的结构和发光特性.结果表明,多孔硅样......
采用射频磁控反应溅射技术制备不同Si层厚度的a—Si／a—SiNx超晶格材料。利用红外光谱（IR）、能谱（EDS）、X射线衍射谱（XRD）、吸收谱和光致......
