光学和电学性质相关论文
近年来,随着石墨烯的发现,二维(2D)材料因具有丰富物理性质和广阔应用前景引起了广泛的关注。石墨烯虽然具有很多优良的特性,例如......
Cu2O是一种直接带隙半导体材料,其禁带宽度大约为2.0eV,并且具有吸收系数高、储量丰富、无毒型及稳定等优点,适应用于光伏器件和光......
通过氮气等离子体辅助脉冲激光沉积(PLD)技术制备了氮掺杂氧化锌(ZnO:N)薄膜.经过低温快速热退火(RTA)处理后,ZnO:N薄膜呈现p型导......
氧化锌(ZnO)是一种宽带隙(室温下3.3eV)Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体, 激子结合能为60meV,具有六方纤锌矿结构,其空间群为P63mc。晶格常数,......
介绍了氧化铟锡 (ITO)薄膜的光学和电学性质及应用。优化的ITO薄膜有立方铁锰矿结构。掺杂的Sn替代In2 O3 晶格上的In原子 ,每个Sn......
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