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本论文采用射频磁控技术在Si(111)和Al_2O_3基片上在不同的工作参数下制备了Zn_(1-x)Fe_xO薄膜,研究了工作参数对Zn_(1-x)Fe_xO薄......
ZnO是一种宽带隙半导体材料,室温下它的能隙宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV。目前,ZnO由于在紫外光辐射、变阻器、透明高功率......
运用时域有限差分方法,研究内置金纳米双棒的谐振环对的光学性质。研究发现:谐振环对的光学透射谱受纳米棒间距、开口缝宽度及填充......