光辅助电化学刻蚀相关论文
摘要：介绍了TSV技术及其优势，针对TSV中通孔的形成，综述了国内外研究进展，提出了干法刻蚀、湿法刻蚀、激光钻孔和光辅助电化学刻蚀法（ P......
利用光辅助电化学刻蚀方法,在厚度为425μm的5英寸硅片上,制作成深宽比达50以上的微通道板阵列结构.理论分析了影响微孔阵列形貌形......
本文介绍了通过光辅助电化学刻蚀制备大尺寸硅微通道板的工艺。工艺中的光照和温度的影响也被进一步研究。刻蚀的光照由150W的卤素......
