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绝缘体上硅(SOI)工艺具有寄生电容小、速度快和抗闩锁等优点,成为低功耗和高性能集成电路(IC)的首选.但SOI工艺IC更易受自加热效应......
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从全芯片角度出发，采用多电源ESD架构和全芯片ESD设计，对整颗芯片提供全方位的ESD保护，介绍了基于0.18μm CMOS工艺设计的大容量PROM......
随着集成电路特征尺寸的减小，集成电路对ESD的要求越来越高，同时集成电路面积和引脚数量的增加，使得全芯片的ESD保护成为挑战。SCR器......
随着半导体器件的特征尺寸不断缩小,ESD保护电路设计变得越来越复杂。因此为先进的纳米级芯片提供良好的ESD防护能力变得很重要。......
CMOS工艺发展到深亚微米阶段,芯片的静电放电(ESD)保护能力受到了更大的限制。因此,需要采取更加有效而且可靠的ESD保护措施。基于......
静电放电是一种普通的自然现象,却是半导体行业中集成电路失效的主要诱因之一,使IC的可靠性面临着重大挑战。随着半导体工艺日新月......
