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从全芯片角度出发，采用多电源ESD架构和全芯片ESD设计，对整颗芯片提供全方位的ESD保护，介绍了基于0.18μm CMOS工艺设计的大容量PROM芯片的ESD设计技术。同时，通过对高压编程引脚的ESD加固设计，提高了芯片的整体抗ESD能力。最终产品ESD测试满足项目要求。
深亚微米大容量PROM芯片ESD保护技术
【摘 要】
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从全芯片角度出发，采用多电源ESD架构和全芯片ESD设计，对整颗芯片提供全方位的ESD保护，介绍了基于0.18μm CMOS工艺设计的大容量PROM芯片的ESD设计技术。同时，通过对高压编程引脚
【机 构】
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深圳市国微电子股份有限公司
【出 处】
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电子器件
【发表日期】
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2014年4期
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