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共反应溅射相关论文

不同温度退火的HfTiON栅介质MOS电容电特性研究

在N2/O2气氛中,使用Ti、Hf靶共反应溅射在衬底Si上淀积一种新型栅介质材料HfTiON,随后分别在N2气氛中600°C和800°C退火2......

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HfTiON 高K栅介质快速热退火共反应溅射栅极漏电流 HfTiON high-k gate dielectric RTA reactive co-

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