高K栅介质相关论文
随着CMOS集成电路工艺已经来到5nm技术节点,传统的Si基MOSFET的特征尺寸和器件结构已经达到了它们的理论物理极限,从而限制了CMOS......
近年来,一维（1D）纳米结构由于其独特的理化性质、优异的传输特性、大的比表面积以及良好的稳定性而受到广泛关注。以In2O3为代表的1D......
随着CMOS技术节点按比例缩小逐渐走向终结,后摩尔时代新器件将影响和决定未来微电子器件技术发展和集成电路产业格局。传统Si O2栅......
随着器件尺寸的减小,用于金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）中的高k栅介质受到广泛关注,而铪基高k材料由于其优越的电学性能,......
热退火技术是集成电路制造过程中用来改善材料性能的重要手段.系统分析了两种不同的退火条件(氨气氛围和氧气氛围)对TiN/HfO2/SiO2......
比较研究了HfO2与HfLaO栅介质多层MoS2场效应晶体管.实验结果表明,与HfO2栅介质MoS2晶体管相比,HfLaO栅介质MoS2晶体管表现出更优......
随着MOSFET特征尺寸的不断减小,Si基MOS器件的发展不断逼近其物理极限,栅极漏电的增加直接导致器件不能正常工作,为减小栅极漏电,......
采用脉冲激光沉积法制备Ni-Al-O或Ti-Al-O高k薄膜,采用溶胶-凝胶法制备PbZr_(0.2)Ti_(0.8)O_3(PZT)铁电薄膜,构架了Pt/Ni-Al-O/Pt ......
通过数值方法求解泊松方程和薛定谔方程的自洽解,提出了考虑量子效应时不同于经典理论的阈值条件,并得出了精确的一维阈值电压模型......
研究了HfN/HfO_2高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中,负偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/H......
利用射频反应共溅射方法制备了Y掺杂Al2O3电介质薄膜,用掠入射x射线衍射检测了薄膜的结构,用高分辨率扫描电子显微镜(HRSEM)、原子......
研究了CeO2作为高K(高介电常数)栅介质薄膜的制备工艺,深入分析了衬底温度、淀积速率、氧分压等工艺条件和利用N离子轰击氮化Si衬......
金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET),要求其器件特征尺寸越来越小,当光刻线宽小于100nm尺度范围后,栅介质氧化物层厚度开始逐......
在氧气和氩气的混合气体中,以O2/Ar流量比固定为1/4的条件,通过改变正偏压大小,采用多弧离子镀方法制备了新型高k栅介质——ZrO2薄......
La2O3是一种高k栅介质材料。本文采磁控溅射方法制备了硅基La2O3薄膜,用热蒸发法在薄膜表面分别制备了Al和Pt电极,采用电流-电压法......
对高k栅介质MOSFET栅极漏电进行研究,确定栅介质的厚度,然后使用PISCES-Ⅱ模拟器对高k栅介质MOSFET的阈值电压、亚阈斜率和Idsat/I......
在N2/O2气氛中,使用Ti、Hf靶共反应溅射在衬底Si上淀积一种新型栅介质材料HfTiON,随后分别在N2气氛中600°C和800°C退火2......
采用磁控溅射方法，在Si衬底上淀积HfTiO高k介质，研究了NO、N2O、NH3和N2不同气体退火对MOS电特性的影响。结果表明，由于NO氮化退火能......
采用磁控溅射方法，在Si衬底上制备HfTaON高五栅介质，研究了A10N、HfON、TaON不同界面层对MOS器件电特性的影响。结果表明，HfTa0N／AlON......
采用电子柬蒸发方法，在Ge衬底上淀积La2O3高k栅介质，研究了O2、NO、NH3和Nx不同气体退火对MOS电容电特性的影响。测量了器件的C—V和......
采用原子层淀积方法,在不同生长温度下制备了HfO2高k栅介质薄膜,研究了生长温度对HfO2薄膜特性的影响.实验结果表明,HfO2薄膜的生......
采用超高真空电子束蒸发法制备了用于全耗尽SOI场效应晶体管(MOSFET)中作为高k栅介质的ZrO2薄膜．X射线光电子能谱(XPS)分析结果显示......
采用高真空反应蒸发法在未加热的p型Si（100）衬底上实现了非晶Er2O3高k栅介质薄膜的生长.俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学剂量比.X......
为了替代传统的SiO2栅介质，利用射频反应溅射法在Si衬底上制备了新型HfSiON薄膜。研究了HfSiON薄膜的成分、结构和介电性能。由XRD......
随着CMOS器件特征尺寸的不断缩小，绝缘栅介质层也按照等比例缩小的原则变得越来越薄，由此而产生的栅漏电流增大和可靠性降低等问题变......
使用射频磁控溅射法在n型Si（001）基片上生长了Gd2O3薄膜。X射线衍射扫描研究和高分辨透射电子显微镜观察表明,薄膜由立方相和单斜相......
随着集成电路集成度的不断提高,作为集成电路最基本单元—场效应晶体管的尺寸也不断缩小。在此过程中,面临的最大的挑战是栅介质层......
采用超高真空电子束蒸发法制备了新型高 K栅介质-非晶 ZrO2薄膜. X射线光电子能谱 (XPS) 中 Zr3d5/2 和 Zr3d3/2 对应的结合能分别......
随着集成电路的持续发展,MOSFET器件性能亟需进一步的改进提高,高迁移率沟道材料(如Ge和III-V族化合物半导体)代替传统Si衬底为器......
当前,随着MOS器件尺寸的不断减小,硅基CMOS技术已经逐步达到其理论极限,而III-V族化合物半导体材料因为具有更高的载流子迁移率,因......
随着CMOS器件特征尺寸缩小到10 nm工艺节点,Si基MOSFET已接近其物理极限。由于Ge的高空穴迁移率、Ⅲ-Ⅴ族材料的高电子迁移率,将高......
传统Si基CMOS器件经过几十年的持续发展和进步已日益接近其物理极限,很难满足小尺寸和低功耗的进一步需求。Ge是目前已知空穴迁移......
SiO2作为栅介质已无法满足MOSFET器件高集成度的需求,高k栅介质材料成为当前研究的热点。综述了高k栅介质材料应当满足的各项性能......
利用反应溅射方法制备了等效氧化层厚度为3．45nm的Al2O3栅介质MOS电容，研究了Al2O3作为栅介质的瞬时击穿和恒压应力下的时变击穿等可......
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采用射频磁控溅射法在p型Si（100）衬底上成功制备了非晶Er2O3-Al2O3（ErAlO）栅介质复合氧化物薄膜。研究了ErAlO薄膜的结构及电学特性。X......
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微电子技术的发展主要是通过不断缩小器件的特征尺寸,提高芯片的集成度和增加硅片面积实现的。其中,器件尺寸的缩小是主要途径之一......
Si CMOS技术以其低能耗、高集成度、高效率、高可靠性以及优良的噪声性能在集成电路中占据统治地位。对于深亚微米尺寸的器件,为了......
随着MOSFET特征尺寸的不断减小,一些新的物理现象(如:栅极漏电增加、短沟道效应等)不断涌现。而栅极漏电的增加直接导致器件不能正......
当材料至少有一个维度在1—100纳米之间时，我们称之为纳米结构。纳米结构和相应的体材料相比，具有许多独特的性能和诱人的应用前景，引......
随着半导体器件等比例缩小至纳米领域,器件的部分技术指标已经或者正在接近其固有的物理极限,各种纳米效应与可靠性问题限制了器件......
随着大规模集成电路VLSI （Very Large Scale Integrated circuits）技术的迅猛发展，半导体器件的特征尺寸遵循着摩尔定律不断地减小，在......
随着金属氧化物半导体(MOS)器件尺寸的缩小,栅极漏电急剧增加,导致器件不能正常工作。为了降低超薄栅介质MOS器件的栅极漏电,需采......
随着半导体工艺技术的不断进步，金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的特征尺寸也在不断的减小。当传统的SiO2栅介质层厚度减小到几......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
利用射频磁控溅射法在P型Si（100）衬底上成功制备了非晶Er2O3-Al2O3（ErAlO）栅介质薄膜，得到了电学特性优异的薄膜样品，对薄膜的退火研究发......
