与时间相关电介质击穿 (TDDB)测量是评估厚度小于 2 0nm薄栅介质层质量的重要方法 .氧化层击穿前 ,隧穿电子和空穴在氧化层中或界......

用斜坡电压法(Voltage Ramp,V-ramp)评价了0·18μm双栅极CMOS工艺栅极氧化膜击穿电量(Charge toBreakdown,Qbd)和击穿电压(Voltag......

利用击穿电压和击穿电量这两个参数评价标准0．18μmCMOS工艺栅氧的可靠性，获得击穿电压和击穿电量的两个常用方法是电压扫描法和电流......