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本文研究了超晶格等效法生长的AlGaAs薄层氧化特性,发现该类氧化层具有明显的各向异性,氧化孔呈椭圆形,氧化速率与氧化时间关系受......
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本文利用自行研制的一台超高真空化学气相沉积（ＵＨＶ／ＣＶＤ）系统，在７８０℃下进行了硅低温外延，取得了表面平整、缺陷密度低、界面质量良好、界面杂质分......
用分子束外延(MBE)方法在Cd Te(111)B衬底上生长了0～20μm厚.具有器件品质的Hg_(1-x)Cd_xTe(0.26<x<0.33)外延层.原生态层为p型,典......
