半导体模型相关论文
根据Cheng-Born能带对称破缺理论和TFDC(Thomas-Fermi-Dirac-Cheng)电子理论，估算了电子型超导体静态的超导电流密度和测量值表达式......
半导体器件漂移-扩散模型是由三个拟线性偏微分方程及初边值条件构成的.电子位势方程是椭圆型方程，用混合体积元方法得到离散格式；电......
我们在本文中要处理的半导体器件数学模型，它广泛地应用在太阳能电池、光电探测器、光电二极管、激光二极管等半导体器件的理论设计......
近几十年来,人们开始应用数学模型研究半导体模型.物理学家、数学家和工程师提出了许多数学模型来描述半导体材料和装置.通过数学......
利用SilvacoTCAD软件,在532nm激光辐照下,对正对电极结构6H-SiC光导开关（SiC-PCSS）瞬态电流电场的分布及不同光功率下的伏安特性进行......
为提高阴极的发射性能以满足新型器件的需求,该文利用脉冲激光沉积技术制备了一种覆W+BaOSc2O3-SrO薄膜的浸渍扩散阴极。实验测得......
首先给出了半导体材料科学中的各种数学模型,然后综述半导体材料科学的宏观模型拟中性极限问题的有力数学分析结果.使用熵(Entropy......
二十多年来,我们从实践中发现,氧化物阴极的理论与实际之间存在着很多矛盾。本文从逸出功测量、吸收光谱、超额钡浓度、晶格结构、......
由于宽带隙碳化硅材料具备高的击穿场强、大的载流子饱和速率、大的热传导率和高温工作稳定性等优点,工作在线性模式下的碳化硅光......
