SiC是新一代高温、高频、大功率和抗辐照半导体器件和集成电路的半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子漂移速率、高热导率及抗辐......

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采用自行研制的工作在800℃的半导体器件高温测试装置,对Ni/4H-SiC肖特基二极管的伏安特性在常温297 K至677 K的温度范围内进行了......

本文提出能解释热阴极中各种现象的动态表面发射中心模型。电子发射来源于一个原子集团。在这原子集团中,当运动着的电子具有瞬时......

二十多年来,我们从实践中发现,氧化物阴极的理论与实际之间存在着很多矛盾。本文从逸出功测量、吸收光谱、超额钡浓度、晶格结构、......