单片集成光电器件相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

单片集成光电器件相关论文

无杂质空位扩散法造成InGaAsP／InP多量子阱结构带隙蓝移规律的研究

采用光荧光谱(PL)和光调制反射谱(PR)的方法,研究了由Si3N4、SiO2电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导......

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无杂质空位诱导无序光荧光谱光调制反射谱铟镓砷磷化合物磷化铟多量子阱结构单片集成光电器件 impurity free vacancy disorder

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