光荧光谱相关论文
The growth parameters affecting the deposition of self-assembled InAs quantum dots (QDs) on GaAs substrate by low-pressu......
The self-assembled InAs/GaAs quantum dots (QDs) with extremely low density of 8\time10^(6) cm^(-2) are achieved using h......
该文用量子阱互混方法中的无杂质空位扩散的方法,研究了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体量子阱结构材料的带隙蓝移.实验中所用的样品都是用气......
报道了几种典型的光压谱(PVS)和光荧光谱(PLS);比较了PVS中吸收边Eα和PLS中峰能值Ep的关系;分析指出,最窄能带隙Eg=Ep-1/2KT=Eα;......
GaAs(110)衬底上生长GaAs外延层时,不同生长条件下存在单层和双层两种生长模式,对应反射高能电子衍射(RHEED)强度振荡呈现出单双周......
用分子束外延系统生 长了GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱(ACDQW),用组合注入的方法,在同一块衬底上获得了不 同注入离子和不同注入......
研究了晶格与 In P匹配的 In Ga As P超晶格材料的热稳定性 ,实验结果表明在 60 0℃以上的热退火下会产生量子阱混合 .采用 1 .0 6......
运用1.064,μm连续输出的Nd:YAG激光器,对与InP晶格匹配的InGaAsP四元系量子阱材料进行了光子吸收诱导无序(PAID)技术的研究.通过......
提出了利用分子束外延方法生长In0.5Ga0.5As/In0.5Al0.5As应变耦合量子点,并分析量子点的形貌和光学性质随GaAs隔离层厚度变化的特......
本文用RPM2050型快速扫描光荧光谱仪(PL Mapper)研究经过Na2S.9H2O醇饱和溶液钝化处理后GaAs表面的光荧光特性.结果表明,GaAs表面......
对利用EMCORE D125 MOCVD系统生长的以CCl4为掺杂源，分析不同C掺杂浓度的GaAs外延层光学特性。通过PL、DC XRD测试手段研究了掺C Ga......
采用光荧光谱(PL)和光调制反射谱(PR)的方法,研究了由Si3N4、SiO2电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导......
采用射频(RF)反应磁控溅射法在n-Si(001)衬底上外延生长ZnO薄膜.XRD谱测量显示出较强的(002)衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴择优取向生长......
用光荧光谱(PL)研究了GaNxAs1-x/G aAs单量子阱(SQW)的光跃迁性质和带阶.通过研究积分荧光强度与激发强度的关系及光谱峰 值位置与......
用PL谱测试研究了GaAs和不同In组份InxGa1-xAs(x=0.1,0.2,0.3)覆盖层对分子束外延生长的InAs/GaAs自 组织量子点发光特性的影响.用......
在多量子阱红外探测器外延材料制备中，由于器件响应波长对量子阱的阱宽和垒高变化敏感，因此对外延材料的制备有很高的要求。本文中我......
本文分析了GaSb表面态形成的原因,以及具有这种高表面态密度的表面性质对GaSb材料器件的影响,探索了降低GaSb表面态密度的方法,主......
用光荧光谱(PL)方法研究了无杂质空位诱导(IFVD)InGaAs/InP多量子阱(MQWs)结构的带隙蓝移. 实验中选用Si3N4作为电介质层,用以产生......
用光荧光谱和二次离子质谱的方法，研究了由Si3N4电介质薄膜引起的无杂质空位诱导InGaAs/InP多量子阱结构的带隙蓝移。实验中选用Si3......
对Si（111）衬底上GaN外延材料的应力随着低温AlN插入层数的变化进行了分析研究。通过喇曼散射谱在高频E2（TO）模式下的测试分析发现,随着......
利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)技术生长了GaInP/(AlxGa1-x)InP多量子阱(MQW)结构材料,对其进行光荧光特性测量,观察到在波长......
经过近半个世纪的发展,半导体激光器在光电子器件和通讯领域内已经得到了广泛的研究和应用。对量子点和量子阱激光器材料的研究有......
InP具有很多优良的特性，已经成为光电器件和微电子器件中不可缺少的半导体材料。特性稳定的半绝缘InP单晶衬底被广泛用来制作低噪声......
本论文针对高质量的InGaAsSb／AlGaAsSb量子阱激光器的特点和存在的问题，对激光器的结构进行了优化设计，并进行了锑化物的分子束外延（MB......
本论文对45°偏转镜面发射半导体激光器结构进行了优化设计，具体考虑了两种45°偏转镜面发射半导体激光器：折叠腔面发射和组合式发射......
随着半导体低维物理领域的不断发展，基于半导体低维结构的量子器件的研究与应用越来越受到人们的重视，由此也促进了相关基础研究不断......
利用光荧光谱研究了带电粒子辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱光学性质的影响。用能量为1MeV、注量为10^13-10^16/cm^2的电子辐照，模拟太......
