光调制反射谱相关论文
该文报道用分子束外延技术生长的CD1－XMNXTE/CD1－YMNYTE超晶格样品在80K下的光调制反射谱实验结果,观测到11H,22H,33H和11L等激子跃......
介绍了计算机在光调制反射谱反射谱实验中的应用，在自动控制系统中使用ＧＰＩＢ接口连接锁相放大器和直流万用表，用８２５５和８２５３芯片控制单色仪的步进电......
硫化是迄今为止最好的钝GaAs表面的方法。该文利用一系列硫化学试剂对表面一本征层一重掺杂层（s-i-n）结构的样品进行钝化，利用光调制......
稀磁半导体量子阱和超晶格具有很多独特的光学和磁性质.该文报道用分子束外延(MBE)技术生长的Ⅱ-Ⅵ族半导体超晶格样品(ZnTe/ZnMnT......
该文用量子阱互混方法中的无杂质空位扩散的方法,研究了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体量子阱结构材料的带隙蓝移.实验中所用的样品都是用气......
采用光荧光谱(PL)和光调制反射谱(PR)的方法,研究了由Si3N4、SiO2电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导......
本文报道用分子束外延技术生长的Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ／Ｃｄ１－ｙＭｎｙＴｅ超晶格样品在８０Ｋ下的光调制反射谱实验结果，观测到１１Ｈ，２２Ｈ，３３Ｈ和１１Ｌ等激子跃迁结构。计及晶格失配导致的应力效应，对子......
研究了GaInNAs/GaAs多量子阱在不同温度和激发功率下的光致发光（PL）谱以及光调制反射（PR）谱。发现PL谱主发光峰的能量位置随温度的变化......
介绍了计算机在光调制反射谱实验中的应用。在自动控制系统中使用ＧＰＩＢ接口连接锁相放大器和直流万用表，用８２５５和８２５３芯片控制单色仪的步进电机。......
利用光调制反射谱(PR)对1.55 μm应变层InGaAsP三量子阱激光器结构进行了研究,在样品的波导层观察到了Franz-Keldysh振荡.利用Bast......
本文讨论了量子阱的光调制反射谱(PR)线形,并采用光调制反射谱研究了MBE GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs异质结、应变层量子阱。可见,用PR谱......
随着半导体技术的不断发展,传统的基于电子输运性质的晶体管已经接近其物理极限。传统晶体管的工作原理基于电子的输运性质,一方面......
光致发光(Photoluminescence,PL)和光调制反射(Photoreflectance,PR)光谱具有无损、简便和高灵敏度等优点,在半导体电子结构和光学......
