单粒子栅穿相关论文
针对宇航级功率集成电路中横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件抗单粒子辐射性能低的问题，开展了高压LDMOS抗单粒子效应加固技术的研......
VDMOS（Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor）是功率器件重要的组成部分,也是构成电源开关、DC-DC变换器的核心器件......
功率VDMOS器件是航天器电源系统配套的核心元器件之一,在重粒子辐射下会发生单粒子烧毁(SEB)和单粒子栅穿(SEGR)效应,严重影响航天......
建立了功率MOS器件单粒子烧毁、栅穿效应的等效电路模型,介绍了模型参数提取方法.采用PSPICE电路模拟程序,对单粒子烧毁、栅穿效应......
针对SiC功率金属氧化物半导体场效应晶体管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET）器件进行了抗辐照试验的研......
期刊
建立了2 5 2 Cf裂片源模拟空间重离子的单粒子烧毁 (SEB)和单粒子栅穿 (SEGR)效应的实验方法和测试装置 ,并利用该装置进行了功率M......
报道了一种抗辐射功率MOSFET，通过与国外同类产品的锎源以及钴辐照试验对比，其抗总剂量水平和抗单粒子能力均已达到国际领先水平，并深......
为了提升超结器件在空间辐照环境下的可靠性,针对额定电压为700 V的超结器件提出了一种新型结构.加固的结构在标准SJVDMOS平面栅的......
研制了功率 MOS器件单粒子烧毁、单粒子栅穿辐照效应实验用的电流测量及电源系统 ,该系统由栅极电源电路、漏极电源电路、漏极 RC......
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建立了利用252Cf裂片源,模拟空间重离子引起的单粒子烧毁、栅穿效应的实验方法和测试装置,开展了功率MOS器件、IGBT的单粒子烧毁、......
建立了功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和相应的模型参数提取方法 ,对VDMOS器件的单粒子栅穿效应的机理进行了模拟和分析......
阐述了空间辐射环境下n沟功率VDMOSFET发生单粒子栅穿(SEGR)和单粒子烧毁(SEB)的物理机理。研究了多层缓冲局部屏蔽抗单粒子辐射的......
当前,随着我国航天器事业的快速发展,航天用户对星用、船用电源系统中的功率MOS晶体管需求量逐年增加。在航天环境下长期使用的功......
功率MOSFET器件在航空、航天等领域的电子学系统中，用作备用电源的功率开关、DC-DC电压变换器、信号发射机等多个部位的关键器件。......
针对功率VDMOS器件抗单粒子辐射加固技术在空间辐射环境下的要求,从重粒子对VDMOS器件的辐射机理及作用过程出发,归纳出功率VDMOS......
利用252Cf源和60Coγ射线源对典型VDMOSFET进行单粒子效应和电离总剂量效应模拟试验,给出典型VDMOSFET的单粒子烧毁(SEB)、单粒子......
