单胞尺寸相关论文
本文以正方形单胞为例,较系统地分析了器件的物理机制、结构及其工作原理,并通过大量计算和分析找出多晶硅窗口区尺寸LW和多晶硅尺......
分析了VDMOSFET导通电阻模型，提出了单胞尺寸是影响导通电阻的最重要因素。单胞尺寸的最佳化选择可使器件的特征导通电阻RonA（单位面......
对功率集成电路中耐压为60V,电流容量为2.5A的VDMOS进行了设计和仿真。在理论计算的基础上,分析了外延参数和单胞尺寸结构的设计优......
以正方形单胞为例,较系统的分析了VDMOSFET的物理机制及其工作原理,并通过大量计算找出多晶硅窗口区尺寸Lw和多晶硅尺寸Lp的最佳设......
对低压VDMOSFET导通电阻Ron的各个构成部分进行了理论分析 ,较为详细地讨论了窗口区和多晶硅栅区的尺寸和比例对器件的导通电阻的......
本文对功率集成电路中耐压为60V,电流容量为2.5A的VDMOS进行了设计和仿真。在理论计算的基础上,分析了外延参数和单胞尺寸结构的设......
