设计并利用LP-MOCVD生长了InGaAsP/GaAs分别限制单量子阱结构，采用无铝的InGaP做光学包层。腔面未镀膜情况下，测试10支条宽100μm，腔......

由于Si是现代微电子技术领域的主导半导体材料，近年来，纳米尺度Si材料的可见光发射有望在光电子领域的应用引起了人们极大的兴趣。量......

介绍了研制的单量子阱半导体激光器（ＳＱＷＨＬ）的基本结构及能带图，为了理论分析的方便，采用有效质量方法进行了理论分析和计算。其中，将超晶格的......