阈值电流密度相关论文
要降低半导体激光器阈值电流密度和提高外微分量子效率,其中采取的主要方法之一是在发光芯片的两个端面选取适当的能量反射比。根......
利用固态源分子束外延技术在GaSb衬底上生长In GaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器结构,研制了激 射波长为2.0μm波段的GaSb基量子阱激光......
半导体量子点激光器由于具有阈值电流密度低、温度稳定性好和调制速度高等特点,非常有望成为下一代光通讯网络所需的关键光源......
Si基光互连的高效光源一般为III-V族激光器,但其工艺与Si-CMOS的工艺兼容性差,这一难题一直阻碍着其发展。同为IV族的Ge材料可以解......
用MOCVD方法生长制备了多层InGaAs/GaAs量子点结构,并研制出量子点激光器.研究了多层量子点激光器阈值激射特性与量子点有源区结构......
无铝材料激光器具有长期可靠性高的优点。本文设计制作了808nm无铝有源区激光器InGaAsP/GaInP/AlGaInP,器件结果:工作波长808nm,腔......
本文提出基于GaN量子阱材料的中远红外量子级联激光器,与现有的基于GaAs材料的远红外量子级联激光器相比,它能显示出明显的优越性.......
本文详细讨论了量子级联激光器的器件制作过程,包括材料生长,金属电极的制作等,对工艺过程进行了探索.对于10×800μm的激光器件,......
本文在零净应变化条件下对1.55μm InGaAs/InGaAs应变补偿量子阱激光器的温度依赖特性进行了分析.计算结果表明,在一定的温度下为......
介绍了InAs/GaAs量子点激光器的材料生长，器件制备及其光学特性的研究。器件为条宽100μm，腔长1600μm未镀膜激器。室温阈值电流密度......
设计并利用LP-MOCVD生长了InGaAsP/GaAs分别限制单量子阱结构，采用无铝的InGaP做光学包层。腔面未镀膜情况下，测试10支条宽100μm，腔......
该文在零净应变条件下对1.55μmInGa/As/InGasP应变补偿多量子阱(SCMQW)激光器的阈值特性进行了分析。计算结果表明，为了实现SCMQW......
采用光谱增益与载流子浓度的对数关系，从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)的速率方程。讨论了阈值电流密度、......
The development of quantum cascade laser at 2.94 THz is reported. The laser structure is based on a bound-to-continuum a......
该文建立了一种蓝光垂直腔面发射激光器(VCSELs)的模型.它以GaN/AlGaN多量子阱为有源区,室温下连续工作的,电流注入泵浦,光从顶部......
文章较为深入地对808nm波长2瓦输出的大功率半导体激光器的研制过程进行了论述.其中对器件参数设计、结构设计,以及欧姆接触,腔面......
该文较为深入地论述了1.3μm高速InGaAsP激光器的研制过程.其中对器件参数与结构、调制信号输入通道的设计,以及材料生长、端面镀......
Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料系,即GaN,AlN,InN及其合金,具有高硬度、高热导性和宽带隙等特点,对于制造蓝绿光和近紫外波长大功率、高温光电......
研制了InGaAs/AlGaAs SQW激光器,对其工作特性如阈值电流密度、激射波长、特征温度、远场分布等进行了研究.rn用MOCVD方法生长制备......
用MOCVD方法生长制备了多层InGaAs/GaAs量子点结构 ,并研制出量子点激光器。研究了多层量子点激光器阈值激射特性与量子点有源区结......
通过考虑不同因素对压应变和张应变量子阱激光器阈值电流和特征温度的影响,得到了俄歇复合和非俄歇复合对阈值电流起主要作用的转......
采用光增益与载流子浓度的对数关系，在受激发射速率中分别引入了增益饱和项和载流子的复合项，通过适应于多量子阱激光器的速率方程，从......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
通过考虑不同因素对压应变和张应变量子阱激光器阈值电流和特征温度的影响，得到了俄歇复合和非俄歇复合对阈值电流起主要作用的转变......
报道了国内首次研制成功的GaN基蓝紫光激光器的材料外延生长、器件工艺和特性，用MOCVD生长了高质量的GaN及其量子阱异质结材料，以及......
为探索锗激光器的性能优化方案,建立了基于双轴张应变的双异质结法布里-珀罗电激励式边缘发射锗激光器模型.通过该模型讨论了双轴......
为了获得小垂直发散角和较低阈值电流密度,本文设计了一种基于模式扩展层结构的980 nm In-GaAs/GaAs/AlGaAs单量子阱激光器新型结......
具有独特电学、光学性质的低维半导体材料,不但在基础物理研究方面意义重大,而且广泛应用于光电子器件的制作。量子点激光器具有线......
本文对影响ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器阈值电流密度的晶格失配，掩坦异质结构和掺杂控制等问题进行了分析和讨论。Ｋｕｐｈａｌ和Ａｒａｉ模型着手计算了与ＩｎＰ晶格匹配ＩｎＧａＡｓＰ熔体组成。......
利用LP-MOCVD生长InGaAsP/InGaP/GaAs SCH-SQW结构,制作了宽接触条形激光器,研究发现微分量子效率在中等腔长范围内有极大值;腔长......
采用光增益与载流子浓度的对数关系，考虑到非辐射复合的影响，从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）的速率方程。讨......
针对大光腔结构往往导致阈值电流密度增大的矛盾,设计了一种具有较高势垒高度的三量子阱有源区。采用非对称宽波导结构的半导体激......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
针对量子阱有源层的结构特点,考虑增益和载流子浓度呈对数关系,建立量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的速率方程,导出了阈值......
报道了LD激射波长会随条宽发生明显变化。对有相同外延生长结构和制作工艺、不同条宽的960nmLD的激射波长进行研究发现,条宽为130......
利用气态源分子束外延技术在GaAs衬底上生长InAs量子点材料,研制出激射波长为1.3μm波段由5层量子点组成的3 mm腔长、3μm脊条宽度......
用电子束蒸发离子辅助镀膜方法为808nm大功率半导体激光器镀制了 SiO2/TiO2 高反膜及 SiO2 或 Al2O3减反膜,结果表明镀膜后激光器......
半导体激光器在军事领域和工业领域有着广泛应用，近年在性能参数方面有许多引人瞩目的进展。综述了提高功率转换效率的技术方法和途......
通过对分子束外延（ＭＢＥ）中影响ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ材料生长的一些关键因素的分析、实验与研究，得到了具有很好晶格完整性和高质量电学、光学特性的ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ单晶材......
我们利用分子束外延方法研制了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ缓交折射率分别限制（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ）单量子阱和双量子阱激光器．对腔长为６００μｍ的端面不镀膜的宽接触条型Ｆ－Ｐ腔激光器，阈值电流......
本文介绍最近国外在研制半导体可见光激光器方面的一项重大进展，即人们首次用ＺｎＳｅ材料在蓝绿光波段（４９０ｎｍ）实现了激射，这是目前用半导体激光器可......
大功率半导体激光器在众多领域都具有广泛的应用,近年来大功率半导体激光器的研究重点主要集中在如何提高输出功率、改善远场发散......
量子点激光器是一种非常重要的半导体激光器，由于量子限制效应，使得量子点激光器具有更为优越的性能，与其它材料的激光器相比，具有更低......
最近20年里,半导体激光器的输出功率和电光转换效率(以下简称效率)都有了很大提高,使半导体激光器由专业的科研工具变为固体激光器......
量子级联激光器是种全新的器件,它是单极性导带器件,发射波长在中红外区域。随着量子级联激光器技术的发展特别是中红外的量子级联......
利用真空镀膜设备,采用电子束离子辅助蒸发技术,在条宽100μm腔长1mm的半导体激光器发光芯片的端面沉积光学介质膜.经测试采用这种......
