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反偏暗电流相关论文
KOH溶液处理对AlGaN紫外探测器暗电流的影响
采用KOH溶液表面处理工艺制备得到了128×1线列日盲AlGaN紫外探测器,器件的反偏暗电流为6.88×10-9A(-8 V时),比未采用此项工艺制......
期刊
暗电流
AlGaN
KOH
紫外探测器
界面态
接触电阻
反偏暗电流
反偏
表面处理工艺
干法刻蚀
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