发射极电流相关论文
发射极电流集边效应是由晶体管基极电阻的自偏压引起的 ,描述该效应的微分方程早已建立 ,这里设计了一种用 SPICE验证精确解 /近似......
<正> 一、导言 1.1 设计方案的目的本文的目的是研制一种在960～1215兆赫下输出峰值微波功率为1000瓦的宽带工作的放大器,该放大器是......
<正> 近代无线电技术、核物理以及其他一些科学技术领域中,很广泛地应用了毫微秒脉冲.例如:高速数字电子计算机、高分辨率的雷达、......
微波晶体管可以作为6千兆赫下的小信号放大器和4千兆赫下的功率放大器。所有微波晶体管几乎都是硅平面型的。功率晶体管采用三种典......
<正> 本文介绍的高保真功放板采用美国NS公司(国家半导体公司)推出的新型高保真音响功放集成电路LM3886TF作功率放大,用音响“发烧......
<正>三极管是最重要的电子器件。如果没有三极管的发明,就没有今天的电子电路技术和微电子技术。美国科学家巴丁制作成功世界上第......
