饱和区相关论文
有机场效应晶体管(organic field-effect transistor,OFET)因为其柔性和低成本制造的优势而获得关注.为进一步拓展OFET应用,进行OF......
对溶浸液的渗透模型进行了分析 ,得出了矿堆底板坡度为零时的浸润面方程 ,同时通过模拟试验对其进行了无量纲的修正。最后 ,分析了......
传统的渗流分析主要考虑饱和区而忽略非饱和区内的渗流,本文基于饱和-非饱和渗流计算原理,采用有限元法考虑了非饱和区渗流的影响,......
分析了大功率晶体管（ＧＴＲ）饱和区伏安特性，测量了不同驱动条件和工作温度下ＧＴＲ的集电极压降和集电极电流的关系．结果表明，存在一个饱和压降阈值......
提出了一种新型CMOS恒压源的制作方案,它基于nMOS和pMOS的饱和区栅源电压随温度变化权重不同的原理,将两者做相关运算,得到零温度......
高尔基汽车厂从所加工零件的心部硬度的选择和如何保证的观点,对碳氮共渗钢进行了分析。中、低碳钢扩散饱和区外的硬度(即心部硬......
相对渗透率是描述孔隙介质中多相流的重要参数。解释相对渗透率驱替试验的方法一般是Johnson-Bossler-Naumann法。在这一方证中忽......
本文应用伽辽金有限元法对三维饱和-非饱和土渗流问题进行计算研究.介绍了数值方法和主要计算公式,给出了典型算例的计算结果,并与......
地下水面之上井孔入渗时,在井孔附近形成了饱和区和非饱和区。在透水性能较小的多孔介质中,非饱和区的范围和影响很大。不考虑非饱......
为改善我国人民的医疗条件,中国原子能科学研究院串列加速器升级工程部正在研制一台能量为230 MeV的质子治疗用超导回旋加速器。该......
基于己考虑速度饱和区这一新的分析模型分析了砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管的工作,弄清了器件材料参数和几何参数以及等效电路......
在MOS LSI中,由于集成度的提高,无论是在片还是脱片都对驱动器提出了更高的要求。既要能驱动较大的电容负载,又要能驱动较大的电......
在MOS器件的生产工艺中,常常采用离子注入,来改变阈值电压和以此来控制器件使之为增强型或耗尽型.但同时也会产生一些影响(例如注......
本文在IBM-PC计算机上,数值模拟了线性区CMOS磁敏器件,即对垂直于器件表面磁场敏感的劈裂漏极MOSFET,并将其推广到饱和区。针对器......
试题名称:模拟电子线路一、回答下列问题 1.分别画出NPN型晶体三极管共发射极和共基极连接时的输出特性曲线,并说明它们之间的区......
在使用中功率和大功率(P≥300mW)的MOS器件时,发现器件在饱和区将出现页动态电阻的现象,这种现象的产生机理是什么?本文从MOS器件......
本文从表面载流子数涨落机构出发,对MOSFET的1/f噪声性质作了较全面的理论和实验研究。将MOSFET的表面1/f噪声理论推广到了所有的......
双极晶体管的Early电压给器件,电路模拟带来了方便。事实表明,MOSFET也有类似的Early电压。从电流连续条件出发,通过引入新的夹断......
功率VD—MOSFET的漏特性在饱和区通常会出现动态负阻,其栅压越高,漏源电流越大,动态负阻就越显著.本文对自制的功率VD—MOSFET(CS5......
一、引言 随着MOS集成电路向短沟道、高速化发展,MOS晶体管电容对电路性能的影响更为突出。对电路性能影响较大的栅—漏,栅—源本......
采用改进模型实现的ＪＦＥＴＳＰＩＣＥ电路模拟＝ＪＦＥＴｃｉｒｃｕｉｔｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｕｓｉｎｇＳＰＩＣＥｉｍｐｌｅｍｅｎｔｅｄｗｉｔｈａｎｉｍｐｒｏｖｅｄｍｏｄｅｌ［刊．英］／Ｗｏｎｇ，Ｗ．Ｗ．…ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｃｏｍｐ．Ａｌｄ．Ｄｅｓ．Ｉｎ...
JFETSPICE circuit simulation using improved model = JFETcircuitsimulationusingSPICE......
为研究包边土厚度对分层填筑路堤渗流特征的影响,基于Geostudio-seep软件模拟分析了暂态饱和区及含水率在设置包边土状态下的变化......
为了研究炭质泥岩路堤在降雨入渗条件下的稳定性,在分析路堤稳定性影响因素的基础上,结合饱和-非饱和渗流及稳定性分析基本理论,提......
一、引 言 在稳态超导磁镜实验装置的离子注入器中,产生的是稳态束。在装置调试和实验中,需要对束流进行无阻挡测量。 在国外的这......
本文讨论了分段优化提取SPICE-ⅡG程序中的小尺寸MOSFET的MOS3模型参数的步骤和方法,其中包括:1)需要测量的输入数据,2)参数提取的......
在考虑极化效应、源漏寄生电阻、沟道扩散电流和饱和区沟道长度调制效应基础上，建立了AIGaN/GaN高电子迁移率晶体管I-V特性的解......
随着集成电路的尺寸越来越小,其对静电放电(ElectrostaticDischarge, ESD)也变得越来越敏感,而电阻在ESD保护电路中可以起到隔离和......
作为关联和描述工质热力学性质的重要手段,实际工质的状态方程一直受到很大重视,己成为一个相对独立的研究方向,现在已经发展......
裂变电离室在工作时,其内部气体中持续地发生着电离和复合过程。为了进一步了解这些过程对探测性能的影响,需要从等离子体物理的角......
该文提出了一种简便快速的彩色图象分割算法。该方法在ＨＩＳ彩色空间中，先利用对Ｓ直方图方阈值的方法，将图象分为高饱和区和低饱和区，然后在......
分析了平均孤子传输系统中光源注入脉冲幅度失配对光脉冲传输产生的影响，提出了利用工作在饱和区的光纤放大器实现系统自稳定的措施......
论述了采用平行板电离室在重离子辐射生物研究中监测剂量的原理。并就其效率、电离室的饱和特性，利用239Pu放射源进行了研究，同时对......
该文从最完整的非线性耦合方程出发，对布里渊放大器（ＢＡ）用于ＡＳＫ信号零差检测的情况进行分析。数值分析的结果表明，使布里渊放大器运转在饱和......
综述粉煤灰坝的渗流特性、粉煤灰地基及粉煤灰填筑的挡灰坝的渗流控制措施，为确保粉煤灰挡灰坝及地基渗流稳定，应防排结合，尽可能降低......
该文是在提出差速器自锁（Automatic-Locking）效应概念作为差速器特性评价指标的基础上，详细地论述了普通型（CT）、牙嵌型（NOSPIN）、增载型（L......
笔者首次利用计算机控制，使动态电磁消像散形成一闭环系统。避开输出的饱和区和截止区，使八极消象散线圈有良好的控制像散作用
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压力/直空式测渗计可用于监测渗流区或未饱和区的水情。这种仪器最早用于农业中研究土壤污染情况。在矿业中用于监测溶液的损失,......
利用状态空间分解方法,探讨一类具有特殊激励函数的高阶Cohen-Grossberg神经网络的多周期性问题.该类神经网络的激励函数包括带有......
本文介绍了已充填采场的充填和脱水的计算机模型,原先开发了一个二维模型,适用于二维采场几何形状和均匀充填体的简单参数模型;本......
叙述了矿山废弃物对地下及地面水的潜在影响及其评价的两种途径：对矿山废弃物的鉴定和对潜在影响的评估．
The potential impact of ......
饱和区范围是堆浸研究的重要课题。论文在综述国内外堆浸工艺研究成果的基础上,首次从非线性动力学角度,对堆浸浸润面进行了深入研......
本文对800V高压LDMOS进行了研究.详细分析了LDMOS准饱和区、击穿区、二极管正向偏置区的直流特性、CV特性和自热效应,提出了适用于......
