基区电阻相关论文
由于发射结（EB结）价带存在着能量差△Ev，电流增益B不再主要由发射区和基区杂质浓度比来决定，给HBT设计带来了更大自由度。为减小基区电......
介绍了一种测试晶体管基区电阻rbb的方法,得出了晶体管电流放大系数β值不同rbb值不同的结论,并对rbe的计算公式进行了修正.......
对在γ射线辐照条件下的单结晶体管基区阻值进行了多点测量和实时监测。结果发现：单结晶体管基区电阻值随γ射线辐照剂量的增加，具有......
本文考虑禁带变窄效应和载流子冻析效应，分析了基区掺杂浓度的分布、基区峰值浓度的大小及位置对基区渡越时间的影响，结合基区电阻的......
<正> 一、导言 1.1 设计方案的目的本文的目的是研制一种在960～1215兆赫下输出峰值微波功率为1000瓦的宽带工作的放大器,该放大器是......
For optimization of the ECL circuit performance, SiGe ECL made of SiGe HBT switching transistors by low temperature tech......
微波晶体管可以作为6千兆赫下的小信号放大器和4千兆赫下的功率放大器。所有微波晶体管几乎都是硅平面型的。功率晶体管采用三种典......
<正> 三、晶体管设计和制造这一节将简单地叙述晶体管设计制造过程中的最重要的步骤。为了减小篇幅,对于不是微波晶体管所特殊要求......
考虑了基极电流在基区电阻上产生的压降对加于发射结上正向电压的影响后,得到发射結电流密度分布的一个公式。它能化为Hauser公式,......
