基区电阻相关论文
介绍了一种测试晶体管基区电阻rbb的方法,得出了晶体管电流放大系数β值不同rbb值不同的结论,并对rbe的计算公式进行了修正.......
对在γ射线辐照条件下的单结晶体管基区阻值进行了多点测量和实时监测。结果发现：单结晶体管基区电阻值随γ射线辐照剂量的增加，具有......
<正> 一、导言 1.1 设计方案的目的本文的目的是研制一种在960～1215兆赫下输出峰值微波功率为1000瓦的宽带工作的放大器,该放大器是......
For optimization of the ECL circuit performance, SiGe ECL made of SiGe HBT switching transistors by low temperature tech......
<正> 三、晶体管设计和制造这一节将简单地叙述晶体管设计制造过程中的最重要的步骤。为了减小篇幅,对于不是微波晶体管所特殊要求......
本文通过低频小信号合金型错晶体三极管的设计计算,介绍中、低频小功率合金型晶体三极管的设计方法,决定材料参数和结构参数应考......
考虑了基极电流在基区电阻上产生的压降对加于发射结上正向电压的影响后,得到发射結电流密度分布的一个公式。它能化为Hauser公式,......
