采用等离子增强化学气相沉积系统制备了含氢非晶碳膜.加热到相应温度(200、250、300、350和400℃)后,对薄膜进行液氮激冷处理,并研......

　　本文用苯作工作气体，在一个微波电子回旋共振(ECR)放电等离子体化学气相沉积系统中制备了含氢非晶碳膜(a-C:H)。对苯等离子体作......

采用端部霍尔离子源在硅基底上制备了含氢非晶碳膜(a-C:H),并测量了4 000～1 500 cm-1的红外透射光谱.基于单层薄膜的透射关系,获得......

利用射频等离子体增强化学气相沉积技术在不锈钢表面制备了含氢非晶碳膜．采用Raman光谱、红外光谱、x射线光电子能谱和原子力显微镜......

分别用磁控溅射和等离子体增强化学气相沉积方法在PMMA基底上沉积硅膜和含氢非晶碳（a-C：H）膜.用氩离子溅射硅靶制备硅膜,以甲烷和氢气......

利用射频等离子体增强化学气相沉积（RFPECVD）方法，以CH4、Ar和H2为气源，在CR-39树脂材料上制备出了含氢非晶碳膜（a-C：H膜）。研究了不同偏......

本文利用射频等离子体增强化学气相沉积（RFPECVD）工艺在不锈钢基底上制备了含氢非晶碳膜（a-C：H膜）。在沉积碳膜之前，首先在基底表面预先......

作为红外窗口的保护层,含氢非晶碳膜（a-C：H）是薄膜材料研究的热点。本文利用中频非平衡磁控溅射技术,以氩气和甲烷混合气体为工作气体......

本文利用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术，以CH4、H2为气源，Ar-为稀释气体，通过增加过渡层和改变输入功率和气体成分比例（CH......

本论文使用化学气相沉积(CVD),高压静电纺丝和物理气相沉积(PVD)技术以及它们的混合技术制备几种光电材料,包括a-C:H, ZnO, [(BaTi......