自偏压相关论文
0626006IBAD制备非晶碳膜与CrN镀层的耐磨性能比较及机理分析〔刊,中〕/杜军//真空科学与技术学报.—2006,26(3).—255-258(L)采用......
溅射深度剖析现已成为测量材料表层及薄膜中元素成分分布的一种常规技术,对其工作参数的研究是其发展迅速的重要原因。本文在介绍......
根据薄膜沉积过程等离子体对光学薄膜膜料蒸气分子或原子的作用，建立了低压等离子体离子镀设备，并对常规光学薄膜，如硫化物、氧化物薄......
对于一个全新的高级音响品牌,别说迅速打入主流市场,建立品牌认知度的难度有多高,就连新产品凭什么吸引挑剔的音响发烧友的眼光都......
针对目标磁控溅射台通孔结构侧壁覆盖能力差、镀膜均匀性差(8%左右)的问题进行设备优化改造;通过结构优化,其在高深宽比结构上的镀......
随着计算机技术的发展，EDA技术在电子电路设计中得到广泛的应用。振荡器是现代电子系统中必不可少的组成部分，为了全面地了解振荡器......
分别用磁控溅射和等离子体增强化学气相沉积方法在PMMA基底上沉积硅膜和含氢非晶碳（a-C：H）膜.用氩离子溅射硅靶制备硅膜,以甲烷和氢气......
利用射频等离子体增强化学气相沉积（RFPECVD）方法，以CH4、Ar和H2为气源，在CR-39树脂材料上制备出了含氢非晶碳膜（a-C：H膜）。研究了不同偏......
以玻璃为基板材料 ,在 550 ℃的低温条件下利用微波等离子体化学气相沉积法合成了定向纳米碳管 .结果表明 ,在利用微波等离子体化......
研究了不同放电参数（功率、气压、频率）下容性耦合氩等离子体中电子温度以及电子密度的变化规律.电子温度和电子密度的测量由双探针......
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在薄膜沉积和离子束刻蚀技术中，通常要给绝缘基片加上一个射频或脉冲电极，以便在绝缘基片上形成一个自偏压来控制轰击到绝缘基片表面......
通过实验分析了射频等离子体自偏压的产生及与电子密度、电子温度的关系和对聚合成膜质量的影响并探讨了其机制,指出产生自偏压可......
为解决废水处理过程中能耗高以及光催化剂需额外光激发才可产生稳定的电子与空穴的问题,本研究制备了低成本且催化性能较好的光电......
本文基于费米能级差,构建了以Bi VO4为光阳极,Cu2O/Cu O为光阴极的双光电极可见光响应光催化燃料电池体系,研究了该体系在不同氧化......
本文介绍了一款基于0.15μm PHEMT工艺的Ka波段自偏压单片低噪声放大器(LNA)。该款低噪声放大器采用四级级联的电路结构,前两级采......
介绍了一款L波段自偏压内匹配功率放大器。器件采用0.25μm工艺GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯,内匹配技术对单胞管芯进行输入输......
