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采用固态磷源分子束外延技术在InP（100）衬底上生长了高质量的InP外延材料．实验结果表明InP／InP外延材料的电学性质与诸多生长参数密切......
本文建立了采用分子束外延法制备InGaP/GaAs异质结构的热力学模型,其中考虑了两个重要的因素,由晶格失配引起的内在应力和InP的脱......
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Ⅲ-Ⅴ族半导体材料InGaAs/InP已经在器件和实际应用层面发挥了重要作用,在光纤通信、空间探测等领域,常作为光源和探测器扮演着关......
