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有机薄膜电致发光作为一个新兴的研究领域正吸引着越来越多的目光，成为平板显示领域的一个研究热点。信息技术的飞速发展，对信息显示......
随着无线通信、雷达及空间技术的发展，人们对射频电路部分的技术指标要求越来越苛刻，低噪声放大器在整个射频电路部分处于不可或缺的......
本文主要是利用深低温强磁场条件下的变磁场霍耳效应和多载流子输运理论分析—迁移率谱分析技术，研究了硅量子点结构、硅量子点薄膜......
本论文《GaAs基与InP基化合物半导体材料MBE生长与特性的研究》的主要内容包括：MBE系统的建立与辅助设备系统设计，AlGaAs/GaAs二维电......
据1987年Phys.Rev.报道,纳米硅薄膜(nc-Si:H)是从上世纪80年代末兴起的一种新型人工功能纳米半导体材料.中国科学(A辑)记载,沈文忠......
在短短的几年中,有机-无机杂化钙钛矿太阳电池实现了光电转换效率从3.8%至22.1%的飞跃,在光伏研究领域中备受瞩目。实现高效钙钛矿......
采用固态磷源分子束外延技术在InP（100）衬底上生长了高质量的InP外延材料．实验结果表明InP／InP外延材料的电学性质与诸多生长参数密切......
高温超导滤波器与低噪声放大器(LNA)组成的射频接收机前端设备具有高选择性、高灵敏度和极低的噪声,因而展现出广阔的应用前景.本......
相较于交流微电网电能转换环节多、网损大等缺点,提出一种光伏-混合储能直流微电网架构,该架构易实现分布式电源的协调控制,减小线......
第三代半导体材料GaN具有优良的电子性质、高饱和电子漂移速度和高击穿电压等优点,因此基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的高电子迁移率......
本文完成了具有A1N插层的AlGaN/GaN HEMT器件的结构级及器件物理特性级可制造性设计。该器件A1N插层厚度为5A; AlGaN势垒层厚度为2......
