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氧化锌(ZnO)作为一种新型的宽禁带半导体材料,具有较宽的直接带隙能带结构,室温下禁带宽度为3.37eV,且激子结合能(60meV)远高于其......
硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)是一种具有强红光发射和弱蓝光发射的多孔硅,且其规则的阵列非常适合作场致发射阴极结构。本课题中,通过水......
场发射显示器(Field Emission Display，FED)具有轻薄、功耗小、图像质量好等优越性，被认为是下一代理想的平板显示器。碳纳米管的发......
阴极阵列形貌是影响场致发射材料发光性能的关键因素。以Czochralski（Cz）法制备的Si-TaSi2共晶复合材料为场发射阴极材料，采用湿法腐......
