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垒层高度相关论文
非极性ZnO基单晶薄膜的制备及ZnO/ZnMgO异质结构的性能研究
基于ZnO的特性(直接带隙半导体,禁带宽度3.37 eV,激子束缚能60 meV),其被认为有望成为新一代的光电器件材料。ZnO的“能带工程”是......
学位
分子束外延
非极性Zn1-xMgxO合金薄膜
非极性znO/Zn1-xMgxO异质结
能带带阶
非极性ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱
阱层宽度
垒层高度
G
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