能带带阶相关论文
重掺杂禁带变窄效应引起异质结导带、价带带阶的扰动,从而使突变HBT异质结界面势垒的形状和高度发生了变化,这将对电流传输特性产......
利用同步辐射光电子能谱技术研究了低Sr组分时Pb_(1-x)Sr_xTe薄膜能带的移动规律,并计算了Pb_(1-x)Sr_xTe/Pb Te异质结中导带帯阶......
高效本征薄层异质结(HIT)是由本征钝化层沉积在a-Si/c-Si界面处组成,这种硅异质结(SHJ)结构由于钝化性能好,实际效率值往往比同质......
氧化锌(ZnO)优异的光电性能使其在短波长光电器件领域有着广阔的应用前景。然而目前所制备的ZnO基发光器件仍然面临着效率低、不稳......
采用分子束外延技术在(001)取向的InP衬底上外延生长了亚稳态的ZnxCd1-xSe/MgSe低维量子阱结构,并通过光致发光和子带吸收方法,分......
AlGaN材料由于其较宽的能带,被广泛的应用于GaN基LED作为电子阻挡层(electron blocking layer,EBL)。其存在的意义是能够抑制量子......
学位
基于ZnO的特性(直接带隙半导体,禁带宽度3.37 eV,激子束缚能60 meV),其被认为有望成为新一代的光电器件材料。ZnO的“能带工程”是......
