近年来,铁电材料因为它们在电子设备上的广泛应用,尤其是由铁电隧道结制备的纳米尺寸的传感器和非易失性存储器因为拥有高的存储密......

从GaN异质结沟道阱中电子状态出发研究了HFET中的噪声产生机理。用沟道阱中子带间散射解释了迁移率起伏引起的1／f噪声。从电子状态......

随着硅基半导体微电子器件的飞速发展,其特征尺寸越来越小,集成度越来越高,已经越来越逼近其物理极限,摩尔定律的维持越来越困难,......

GaN基功率放大器的线性度是其应用于无线基站通讯系统的一个重要指标。获得较宽电压范围的高跨导区域是提高器件的线性度的基本要......

采用脉冲激光和磁控溅射技术制备Pt/MgO/Pb0. 2Zr0. 8Ti O3（PZT）/SrRu O3复合铁电隧道结.固定MgO/PZT复合层的厚度为10 nm,改变MgO与......

传统铁电随机存取存储器的基本单元是一个铁电电容,需要一定的电容面积获得足够的电荷量来存储信息,难以实现高密度存储。其读出方......