隧穿相关论文
破坏大块材料的平移或旋转对称性的缺陷,在研究凝聚态系统的性质时起着很重要的作用。它可以帮助我们更好的理解大块材料的基态和......
制备了系列材料Eu2 :BaFCl,测量了其光激励发光衰减曲线。基于隧穿模型,建立了描述隧穿过程的数学模型,得出了光激励发光衰减规律,......
引入复折射率的概念,利用特征矩阵法研究了材料的吸收对光子晶体全反射隧穿效应的影响。通过数值计算研究了光子晶体的全反射隧穿......
为了研究一维有限周期含负折射率光子晶体的全反射隧穿效应,利用传输矩阵法计算了TE波和TM波在大于全反射角入射一维有限周期含负......
针对InGaN/GaN多量子阱LED,分析了占据能态高于势垒的载流子和低于势垒的载流子参与的电流输运机制,从而推导出对应能态电流输运机......
针对共振隧穿二极管近红外探测器焦平面阵列本征电流较大的问题,提出了一种通过对共振隧穿二极管近红外探测器双势垒结构(DBS)进行......
当强激光场作用于原子分子体系时,由于激光场较强,电子受到激光场的作用可以与原子核对它的库伦作用相比拟,激光场的作用使原子分......
用等离子增强化学沉积方法在柔性不锈钢(stainlesssteel—SS)衬底上制备了n-i-p非晶硅/微晶硅叠层太阳电池，重点研究了叠层电池隧穿......
该文共分四章.第一章阐述了高分子共轭聚合物(conjugatedpolymer)及其共聚物(conjugatedcopolymer)的电子结构特点及应用等,对各种......
随着激光冷却技术的发展,原子可冷却到质心运动作量子描述.自从1996年Scully等首次研究了用超冷原子注入的微波激射后,一种完全新......
量子混沌是20世纪80年代以来发展起来的一个新兴研究领域。对它的探索，源于经典混沌理论的辉煌成果和它给人们观念带来的巨大冲击。......
对形成室温单电子现象的典型串联双隧道结结构模型利用温克布 (WKB)三氏法求解薛定谔方程 ,计算了其隧穿电流与偏压的关系。利用该......
６单电子晶体管的集成单电子晶体管的集成化将依赖于各元器件的无线耦合［３］，这与传统的大规模集成电路原理不同。基于这种单电子器件的集......
用室温光致发光谱和飞秒脉冲抽运 探测方法对不同垒宽的ZnCdSe量子阱 ZnSe CdSe量子点新型耦合结构中激子隧穿过程进行研究 ,观察......
对带质量四极矩的静态黑洞Hawking辐射的隧穿过程进行了简单直接的推导,得到了热谱.因推导过程应用了能量守恒定律,故真正的辐射不......
本文研究了压力对CrO2样品低温磁输运性质的影响.样品的X射线衍射结果表明(110)峰的相对强度随压力的增加而增大,说明压力对CrO2针......
建立一个有效的三明治隧穿模型研究在Pr1-xCaxMnO3薄膜中电流脉冲引起的电阻改变(EPIR)性质,发现载流子在三明治结构各区域间的隧......
以Reissner-Nordstrom黑洞(R-N黑洞)为例,从黑洞热力学定律出发,对R-N黑洞中的带电粒子的量子隧穿效应进行了重新分析.将作用量的......
以铟锡氧化物 (ITO)为透明电极 ,8 羟基喹啉铝 (Alq3)为发光层 ,研制成ITO/Alq3/Al结构有机电致发光器件 (OLED) .测量表明其载流......
磁隧道结通常是指由两层磁性金属和它们所夹的一层氧化物绝缘层(Ⅰ)所组成的三明治结构.通过绝缘层势垒的隧穿电子是自旋极化的,这......
给出了一种利用FN振荡电流的极值测量超薄栅MOS结构的栅氧化层厚度和电子在栅氧化层导带中的有效质量方法.利用波的干涉方法来处理......
期刊
给出了超薄栅MOS结构中直接隧穿弛豫谱(DTRS)技术的细节描述,同时在超薄栅氧化层(＜3nm)中给出了该技术的具体应用.通过该技术,超薄......
采用真空热蒸发方法在玻璃基板上蒸镀不同厚度的Ag/TCNQ(7,7,8,8_tetracyanoquinodimethane)双层膜.通过固体化学反应扩散,最终形......
采用真空蒸发的方法在玻璃基板上交替蒸发Ag和TCNQ,形成不同厚度的双层膜.利用透射光谱作为表征,研究了双层膜中的传质规律.发现超......
通过研究单电子晶体管在电路中的静电能量的变化 ,得到了它的阻塞、导通情况与其两端偏压和控制栅压之间的关系 ,从而给出了它的通......
采用等离子体氧化和逐层(layer by layer)生长技术在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中原位制备了SiO2/nc-Si/SiO2的双势垒......
主要对InP/InGaAs异质结进行数值仿真。考虑到异质结界面存在导带不连续和价带不连续,在流体动力学模型的基础上,采用热电子发射模......
研究了双量子点系统中的电子隧穿动力学过程,在考虑电子与声子相互作用的情况下用基于正则变换的微扰方法解析地得到了电子动态隧......
用平均场的方法,研究了线性扫描磁场中自旋-1玻色-爱因斯坦凝聚体系的自旋隧穿.集中考虑87Rb这种典型的碱金属原子凝聚体,根据外磁......
通过在半金属Fe3O4合成过程中外加磁场的方法,改变样品粒子的表面结晶状态和晶格缺陷,研究了由此引起的Fe3O4输运性质的变化.合成......
运用三角势近似且计入电子向势垒的隧穿,通过数值计算方法求解定态薛定谔方程,研究流体静压力影响下有限深势垒ZnSe/Zn1-xCdxSe应......
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研究了粒子在中间存在势垒的无限深势阱中的量子运动.给出了能级谱统计分析,发现这些经典上可积的模型,在量子上出现了不可积现象,......
本文用非平衡Green函数方法和模式表象技术对弹道MOSFET中的栅隧穿电流进行了研究.为了简化计算,我们把栅分解成一系列的小栅并用......
MOS器件尺寸缩减,导致栅氧化层厚度急剧减小,引起栅隧穿电流的迅速增大,对MOS器件特性产生了很大影响。该文基于此,重点分析和研究......
通过精确求解含时的量子体系，研究了自旋极化电子在周期驱动耦合量子点中的布居数变化及隧穿时间。结果表明自旋极化电子在耦合双量......
利用低温水热法生长的ZnO纳米棒（ZnO--NRs），和P型有机半导体材料聚[2-甲氧基-5-（2-乙基己氧基）-1，4-苯撑乙烯撑]（MEH-PPV）复合制备了结构为......
以双势阱玻色-爱因斯坦凝聚体系为例，给出双势阱BEC的Husimi函数计算方法，并根据数值计算结果，讨论在外加周期调制下，由Husimi函数描述......
利用二能级近似,研究了受驱动光场作用时的粒子在双势阱中的量子隧道效应抑制现象.讨论了远共振激发和强场激发情况下的粒子定域问......
本文提出了一种扭摆、谐振型隧穿式磁强计及其设计方法，它采用扭摆型线圈敏感被测磁场，结构易于加工且能够有效降低1／f噪声的影响。通......
利用Landauer—Buttiker散射理论和传递矩阵方法研究了单层石墨烯双势垒结构中的隧穿几率和电导。计算结果表明：即使存在克莱因隧穿......
研究了掺杂弱耦合ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ超晶格在直流偏压作用下的电场畴及自维持振荡，分析了通过加光照，变温、加横向磁场等方法使稳定场畴向动态场畴转换......
利用导电探针原子力显微镜（CP—AFM）构成金属电极／烷基硫醇饱和分子的自组装单分子膜／金属电极的三层结构，研究了该类分子结的电荷输运......
针对隧穿场效应晶体管开态电流较低的问题,提出了一种新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管结构,并对其性能进行了研究。在该结构中,......
