复合磨粒相关论文
化学机械抛光(CMP)技术几乎是迄今为止唯一可对硅衬底及集成电路互连结构提供全局平面化的的技术。复合磨粒化学机械抛光(CP-CMP)......
在低模量介孔SiO2 (Mesoporous silica,mSiO2)微球表面负载Sm掺杂CeO2纳米粒子,制备了具有均匀完整核-壳结构的非刚性mSiO2@Ce1-xS......
随着先进电子技术的飞速发展，对产品加工精度和表面质量的要求越来越高。化学机械抛光(Chemical mechanical polishing，简称CMP)技术......
半导体材料的超精密加工是一种获得高表面质量和表面完整性的加工技术,研抛磨粒是实现半导体材料超精密加工的关键耗材之一。从研......
研究苯代三聚氰胺甲醛（BGF）微球与阳离子型聚电解质聚二烯丙基二甲基氯化铵（PDADMAC）、阴离子型聚电解质聚4-苯乙烯璜酸钠（PSS）之间的吸......
为提高硅片抛光质量与效率，利用均相沉淀法制备CeO2／SiO2复合磨粒，配制绿色环保水基型抛光液对硅片进行化学机械抛光，研究pH值、抛光时......
以SiO2溶胶作内核,分别以（NH4）2Ce（NO3）6、CO（NH2）2混合溶液与Ce（NO3）3·6H2O、HMT混合溶液作壳层前驱体,均相沉淀工艺制备了两种不同......
为了提高Si片的抛光速率，采用复合磨粒抛光液对Si片进行化学机械抛光。根据检测到的聚合物微球的Zeta电位，利用DLVO理论分析计算了PS......
以苯代三聚氰胺甲醛（BGF）微球为内核,用阳离子型聚电解质PDADMAC、阴离子型聚电解质PSS为表面改性剂,利用静电层层自组装技术,制备出......
用羧甲基纤维素和氧化铈混合,经聚甲基丙烯酸苏达水、分散剂、硫酸处理悬浮聚合制备了氧化铈复合磨粒,与未经处理的氧化铈磨粒进行......
以尿素[CO（NH2）2]、（NH4）2Ce（NO3）6和SiO2为原料，采用均相沉淀法制备1种新型纳米SiO2／CeO2复合磨粒，通过x射线衍射仪、x射线光电子能谱仪、......
利用静电层层自组装原理,通过PDADMAC在聚合物粒子表面改性和吸附不同层数的SiO2磨粒,制备n-SiO2/BGF复合磨粒及其抛光液。分析了......
在研磨抛光过程中,金刚石、氧化铝等高硬度磨粒直接冲击加工表面,并对加工表面造成“硬”冲击,产生较大的划痕、裂纹与凹坑等微观......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
采用高分子表面活性剂对碳化硅进行表面改性制备出了弹性微球复合粒子,降低了微粉的表面能,提高了与金刚石及结合剂的粘结性能,并......
为了提高硅片的抛光速率,利用复合磨粒抛光液对硅片进行化学机械抛光。分析了SiO2磨粒与聚苯乙烯粒子在溶液中的ζ电位及粒子间的......
为了提高Al2O3超微粉在水介质中的分散稳定性,先采用硅烷偶联剂KH570对Al2O3进行表面改性,再对Al2O3粒子锚固偶氮引发剂偶氮二异丁......
