化学机械抛光(CMP)相关论文
采用柠檬酸作为pH调节剂和分散剂,针对CeO2磨料水溶液的分散性差以及浅沟槽隔离(STI)化学机械抛光(CMP)过程中正硅酸乙酯(TEOS)/氮......
钴(Co)的化学机械抛光(CMP)要求有较高的去除速率(大于100 nm/min)和洁净平整的表面.采用新型弱碱性抛光液,研究不同成分(如过氧化......
期刊
为了提高现有清洗机械手结构的适用性和可靠性,通过调研实际工况和有限元分析,对现有清洗机械手进行结构和尺寸优化.通过优化分析,......
分析了碳化硅(SiC)材料加工原理与难点,介绍了SiC晶片的精密抛光技术,使用化学机械抛光(CMP)方法对4英寸(1英寸=2.54 cm)4H-SiC晶......
随着计算机磁头与磁盘间间隙的不断减小 ,硬盘表面要求超光滑。制备了一种纳米SiO2 抛光液 ,并研究了镍磷敷镀的硬盘基片在其中的......
研究了化学机械抛光(CMP)后AlN单晶片的清洗.将除蜡剂清洗法、RCA清洗法、食人鱼溶液清洗法以及丙酮和异丙醇(IPA)的混合溶液清洗......
目前,集成电路（IC）按照摩尔定律飞速发展,对晶体管的集成达到超大规模阶段,布线层数超过十层,对超精密平坦化加工技术的精度提出更高......
钴(Co)具有电阻率低、电子迁移率高、对铜(Cu)等金属的黏附性好以及沉积性能好等优势,在集成电路制程中作为Cu互连阻挡层或新型互......
研究了在甘氨酸和H2O2体系下加入新型抑制剂2,2′-[[（甲基-1H-苯并三唑-1-基）甲基]亚氨基]双乙醇（TT-LYK）对Cu/Co电偶腐蚀的影响。由化......
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硅通孔(TSV)技术是一种先进的封装技术,化学机械抛光(CMP)是集成电路TSV制作过程中的重要步骤之一,是可兼顾材料表面局部和全局平......
以碳化硅(SiC)晶片为加工对象,提出了双面化学机械抛光和单面化学机械抛光相结合的抛光方法.先在双面抛光机上对SiC晶片硅面和碳面......
随着铜互连结构中低k介质的应用,要求CMP抛光过程中必须将压力减小到6.89kPa以下,传统的化学机械抛光已不符合当前的工艺要求,如何......
化学机械抛光中晶圆表面材料去除的非均匀性是影响抛光质量的主要因素之一。材料去除非均匀性直接影响上层布线的质量。通过对抛光......
化学机械抛光(CMP)是多层铜布线的关键技术之一.随着集成电路的发展,碱性抛光液将逐渐成为研究热点.而双氧水作为抛光液中最常用的......
期刊
依据铝的电化学腐蚀特性,阐明了碱性条件下铝化学机械抛光(CMP)的机理。由于铝的硬度较低,在抛光过程中容易产生微划伤等缺陷,因此......
期刊
虽然化学机械抛光（CMP）技术在半导体产业中得到越来越广泛的应用，但人们对化学机械抛光加工的理解还多半停留在经验阶段，为深入研究其......
集成电路上的铜层和TaN层的化学机械抛光浆料（朝鲜语）；化学机械抛光方法（英文）；化学机械抛光（CMP）的抛光浆料以及整平计算机存储器磁盘表面......
在集成电路（IC）行业中,化学机械抛光（CMP）是获得全局平坦化的技术.随着晶圆直径的增加,在CMP加工过程中,晶圆边缘容易出现“过磨（over-g......
当前的化学机械抛光（CMP）磨损模型中大多数都缺少微观试验数据的支持。为进步揭示CMP中纳米磨粒对材料表面的磨损机制，提出了采用原子......
虽然CMP已成为全球大多数IC制造厂的标准制程，但是对于CMP制程的理解仍停留在以经验积累为主的阶段，缺乏完整严密的理论基础，最主要的......
以单头单面旋转式化学机械抛光机为例建立了抛光头的运动模型,并利用Matlab软件模拟出了抛光头的运动轨迹,分析并讨论了抛光盘和抛......
在分析ULSI中硅衬底CMP的动力学过程基础上，提出了在机械研磨去除产物过程中，适当增强化学作用可显著改善产物的质量传输过程，从而提......
化学机械抛光（CMP）技术作为目前唯一可提供在整个晶圆片上全面平坦化的工艺技术,已被越来越广泛地应用到了半导体领域。介绍了CMP技......
目前，普遍采用化学机械抛光（Chemical—mechanical polishing，CMP）技术对计算机硬盘基片（盘片）表面进行原子级平整。CMP加工中。盘片表面......
在硬盘盘基片的最终抛光中，研究SiO2溶胶颗粒、氧化剂、络合剂和润滑剂对盘基片Ni—P材料抛光性能的变化规律，获得较高的材料去除速......
就国内外关于集成电路芯片化学机械抛光(CMP)材料去除机理研究的现状和进展进行了评述,总结了集成电路芯片常用介电材料二氧化硅以......
以尿素[CO（NH2）2]、（NH4）2Ce（NO3）6和SiO2为原料，采用均相沉淀法制备1种新型纳米SiO2／CeO2复合磨粒，通过x射线衍射仪、x射线光电子能谱仪、......
系统研究了抛光液的pH值、抛光压力和相对转速等因素对蓝宝石抛光速率和表面粗糙度的影响，研究结果表明：随pH值（9—12）的升高，抛光速率......
激光剥离(LLO)技术是研制新型氮化镓(GaN)基谐振腔结构光电子器件的关键技术。然而LLO后的GaN表面往往具有较大的粗糙度,而制作谐......
随着各国对航空航天制造业的战略需求日益迫切,镍基高温合金材料得到了广泛的应用,但其加工时易造成刀具磨损严重,硬质合金刀具因......
针对光学石英玻璃在表面化学机械抛光(CMP)过程中易出现表面及亚表面损伤和蚀坑等缺陷问题,提出了采用低抛光压力和低磨料体积分数......
期刊
在工作压力为2 psi(1 psi=6 894.76 Pa)、抛光头转速为55 r/min、抛盘转速为60 r/min、流量为50 mL/min的条件下,对3英寸(1英寸=2.......
期刊
研究了pH值对石英玻璃抛光性能的影响,采用动态光散射及Zeta电位对化学机械抛光(CMP)使用的硅溶胶进行分析表征,采用原子力显微镜(......
为了解决传统SiC化学机械抛光(CMP)加工效率低的问题,针对单晶SiC表面抛光质量和材料去除率指标,综述了应用传统碱性抛光液、混合......
研究了单独的化学作用和机械作用对材料去除率的影响,通过设计单因素试验来研究抛光压力、抛光盘转速、雾液流量、氧化剂浓度对材......
GLSI多层铜互连线的平坦化中,抛光液中的SiO2磨料对铜的平坦化效率具有重要的作用。研究了碱性纳米SiO2质量分数对300 mm铜去除速......
期刊
颗粒度是CMP工艺的重要指标。针对CMP的几个工艺参数进行实验,获得了各参数对硅片CMP后颗粒度的影响。......
为研究添加剂对氮化镓(GaN)晶片化学机械抛光(CMP)材料去除率的影响,采用直流电源对n型GaN晶片进行电化学刻蚀,利用X射线光电子能......
针对直径300 mm硅晶圆的粗抛,研究了不同稀释比例的FA/O型硅片粗抛液对硅去除速率的影响,发现按1∶30的体积比稀释时硅片背面去除......
期刊
随着计算机磁头与磁盘间间隙的不断减小 ,硬盘表面要求超光滑。制备了一种纳米SiO2 抛光液 ,并研究了镍磷敷镀的硬盘基片在其中的......
在分析硅衬底CMP的动力学过程基础上,提出了在机械抛光去除产物过程中,适当增强化学作用可显著改善产物的质量传输过程,从而提高抛......
会议
对用于甚大规模集成电路(ULSI)制造的关键平坦化工艺--铜化学机械抛光(CMP)技术进行了讨论.着重分析了铜化学机械抛光的抛光过程和......
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随着集成电路特征尺寸不断缩小到14 nm及以下,钌凭借其低的电阻率、对铜高的依附性而被考虑替代传统阻挡层材料Ta/TaN。但是,钌作......
基于碲镉汞液相外延材料表面固有的宏观缺陷,采用化学机械抛光(CMP)方法对材料表面进行抛光平坦化,利用光学显微镜、白光干涉仪、......
化学机械抛光(Chemical mechanical polishing),简称CMP,是目前在超大规模集成电路制造过程中全面平坦化应用最广泛的技术。但是CM......
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期刊
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