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外加氦气流下脉冲激光沉积制备纳米硅晶粒成核区宽度的计算
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外加氩气流下脉冲激光烧蚀制备纳米硅晶粒成核生长动力学研究
为研究纳米硅晶粒成核生长动力学过程,采用脉冲激光烧蚀(PLA)技术,在室温,50~200 Pa的氩气氛围中,通过引入垂直于烧蚀羽辉轴线的外......
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