脉冲激光烧蚀相关论文
脉冲激光烧蚀在各个领域得到了广泛的应用,其诱导产生的等离子体具有复杂的演化机理。本论文结合理论、仿真以及实验,讨论了不同氩......
采用飞行时间(TOF)质谱(MS)方法,研究脉冲YAG激光烧蚀石墨产生的碳团簇与氮原子离子束的空间反应,发现了一系列CnN-m团簇产物。对......
磁约束核聚变是实现聚变能的主要途径,是解决人类能源和环境双重危机的最佳途径之一。然而,在托卡马克装置中,由于等离子体不稳定......
假定烧蚀粒子与环境气体原子均为刚性硬球,采用蒙特卡罗(Monte Carlo)方法,对单脉冲激光烧蚀产生的硅(Si)粒子在1000Pa环境氦(He)......
该文利用脉冲激光烧蚀产生超热的过渡金属原子Ta,Nb和金属卤化物MX(M=Cu,Ni;X=Cl,Br),研究了它们分别与气相小分子CO和N的反应.运......
该文利用脉冲激光溅射产生活性的金属原子,研究了它们分别与CO和微波放电CS/Ar混合气体的反应.运用低温基质隔离和红外光谱技术,结......
该论文的研究对象为基于激光辐射与凝聚态物质相互作用的脉冲激光烧蚀的过程和机理,内容可以分为两大部分:一是通过对脉冲激光烧蚀......
本论文的主要内容是在激光和等离子体特性研究的基础上进行激光和等离子体的应用探索，摸索一种新的材料制备方法—基于电子回旋共振......
本论文的研究对象为对固体的脉冲激光烧蚀(PulsedLaserAblation，PLA)产生的等离子体(简称PLA等离子体)和对气体的电子回旋共振(Elec......
本文以脉冲激光烧蚀(PulsedLaserAblation，PLA)等离子体为主要研究对象，通过对PLA等离子体光谱的测量分析，考察PLA等离子体的时空演变......
随着脉冲激光烧蚀技术在各相关研究领域日益广泛的应用，脉冲激光与固体靶材的相互作用机制越来越引起有关学者的兴趣，其中包括激光等......
采用Monte Carlo方法,对脉冲激光作用下产生的烧蚀粒子在环境气体中的输运过程进行了数值模拟。分别研究了环境气体原子半径和原子......
本工作采用脉冲激光烧蚀技术,在10 Pa的Ar气环境下,沉积制备了一系列纳米Si薄膜,并利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、......
本论文主要研究方向为利用激光烧蚀和微波放电联合作用摸索一种制备氧化锌薄膜材料的新方法,并在此基础上研究氧化锌的性质和氮掺......
本论文分为两部分,一是在激光和等离子体特性研究的基础上进行激光和等离子体的应用探索,利用基于电子回旋共振(electron cyclotro......
本论文的研究对象为对固体的脉冲激光烧蚀(PulsedLaserAblation,PLA)产生的等离子体(简称PLA等离子体)和对气体的电子回旋共振(Ele......
脉冲激光诱导固－液界面反应，由于其具有瞬时高温高压的特点，在纳米材料的制备上具有独特的优越性。本文利用脉冲激光诱导固－液界面反应......
自激光诞生以来，由于其高亮度、高方向性、高相干性和良好地单色性等一系列显著的优点，在社会各个方面都得到了广泛的应用。随着激光......
采用XeCl脉冲准分子激光器,在10Pa的Ar气环境下,烧蚀高阻单晶Si靶,分别在距靶3cm的玻璃和单晶Si衬底上制备了纳米Si薄膜.相应的Ram......
采用空间和时间分辨的四极质谱法研究了３５５ｎｍ脉冲激光烧蚀高Ｔｃ超导体Ｙ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ的产物分布．对于同一金属元素（Ｙ、Ｂａ和Ｃｕ）的原子和离子，它们的飞行时间（ＴＯＦ）谱具有......
脉冲激光烧蚀技术被广泛应用于诸多领域,特别是在微电子/光电子器件、纳米材料制备以及新型元器件制备等领域有着重要的地位,并具......
在室温、10 Pa氩气环境下,采用脉冲激光烧蚀(PLA)技术,通过改变激光能量密度,在烧蚀点正下方、与烧蚀羽辉轴线平行放置的衬底上沉......
为研究纳米硅晶粒成核生长动力学过程,采用脉冲激光烧蚀(PLA)技术,在室温,50～200 Pa的氩气氛围中,通过引入垂直于烧蚀羽辉轴线的外......
采用脉冲激光烧蚀技术(PLA)在n型Si(100)单晶衬底上制备Tb-Si纳米颗粒。原子力显微镜(AFM)观察样品的表面形貌,发现样品表面是均匀......
为了对激光烧蚀沉积Ag薄膜生长率和环境气压关系进行定量解释,考虑烧蚀产物在惰性气体环境中的动力学过程以及薄膜生长的沉积和二......
采用XeCl脉冲准分子激光器 ,烧蚀高阻抗单晶Si靶 ,在 1— 5 0 0Pa的Ar气环境下沉积制备了纳米Si薄膜 .x射线衍射谱测量证实 ,纳米S......
研究了高能短脉冲激光薄膜制备的整个烧蚀过程.首先建立了基于超热理论的烧蚀模型,然后利用较为符合实际的高斯分布表示脉冲激光输......
为了确定纳米Si晶粒气相成核的位置,采用XeCl准分子激光器,在10Pa氩气环境下,烧蚀高阻抗单晶Si靶,在距离等离子羽正下方2.0cm处、......
建立了一维半导体Ge激光烧蚀模型,对不同功率密度的紫外激光烧蚀半导体Ge的过程进行了模拟,并对计算结果进行了分析,得到激光功率......
采用脉冲激光烧蚀装置,在10 Pa的氩气环境下,在1～6 cm范围内调整衬底与靶的距离沉积制备了纳米Si薄膜。X射线衍射(XRD)谱和Raman谱......
假定烧蚀粒子与环境气体原子均为刚性硬球,采用蒙特卡罗(Monte Carlo)方法,对单脉冲激光烧蚀产生的硅(Si)粒子在1000 Pa环境氦(He)......
为了深入理解在纳秒激光烧蚀半导体材料过程中背景气压对烧蚀过程以及羽流膨胀动力学特性的影响,本文利用一维激光烧蚀和流体动力......
介绍了脉冲激光烧蚀技术的原理、特性及研究现状，并对其发展前景进行了展望。同时将该项技术分为纳秒激光烧蚀、皮秒激光烧蚀和飞秒......
采用XeCl脉冲准分子激光器，保持激光脉冲比为1：3，分时烧蚀Er靶和高阻抗单晶Si靶，在10Pa的Ne气环境下沉积了掺Er非晶Si薄膜．在氮气保护下......
采用脉冲激光烧蚀装置，在不同环境气体下，沉积制备了含有纳米Si晶粒的薄膜。利用扫描电子显微镜（SEM）观察样品的表面形貌，并对晶粒尺寸......
Si基纳米材料在半导体光电集成领域有着十分诱人的前景,脉冲激光烧蚀技术是目前材料界和分析界最有前景的技术之一.介绍了脉冲激光......
在不同环境气体中,对脉冲激光烧蚀产生的Si粒子的输运过程进行了Monte Carlo动力学模拟,并实验研究了脉冲激光烧蚀制备纳米Si薄膜......
采用脉冲激光烧蚀技术在氩气环境下制备了纳米硅薄膜,研究了环境气体压强对纳米硅薄膜表面形貌的影响. 结果表明,当环境气压小于50......
采用XeCl准分子脉冲激光，在真空环境中烧蚀单晶Si靶，在Si（111）和石英衬底上沉积生成非晶Si薄膜．在同样的环境下，用激光对非晶Si薄膜进行......
在室温和真空环境中,引入外加直流电场,通过脉冲激光烧蚀单晶硅靶,在与电极板和羽辉轴线平行放置的衬底上沉积了一系列薄膜.扫描电......
本文采用脉冲激光沉积（PLD）法,在单晶硅试样表面上沉积制备了TiN/AlN多层硬质薄膜;研究了激光能量、靶衬距离和基体温度等工艺参数对......
利用调QNd^3＋：YAG激光器三倍频355nm激光脉冲烧蚀空气环境的硅样品,观测不同脉冲激光能量下产生的等离子体在380～420nm范围内的时间-......
提出一种控制脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒尺寸分布的新方法。在10Pa的Ar环境中,采用脉冲激光烧蚀高阻抗单晶硅靶沉积制备了纳米Si......
为了研究混合环境气体配比对脉冲激光烧蚀制备纳米硅（Si）晶粒角度分布的影响,采用XeCl准分子激光器,烧蚀高阻抗单晶Si靶,改变混合环......
在室温、10Pa氩气环境氛围中，引入垂直于烧蚀羽辉轴线的外加直流电场，采用脉冲激光烧蚀技术制备了一系列纳米硅晶薄膜，衬底分布于以烧......
液相激光烧蚀方法，主要是利用激光与液态介质相互作用、产生局域高温高压非平衡过程而获得纳米材料的方法，能够有效合成常规手段无法......
在室温和10Pa氩气环境中，引人平行于靶面方向的直流电场，通过改变脉冲激光能量密度烧蚀单晶硅靶，在与羽辉轴线呈不同角度的衬底上沉积......
建立一维半导体Ce的激光烧蚀模型，对波长为248nm，脉宽为17ns，峰值功率密度为4×10^8w／cm^2的KrF脉冲激光在1000torr（1torr=133．32pa）......
