外延石墨烯相关论文
报道了6H-SiC衬底外延生长的石墨烯作为可饱和吸收体,环形腔结构的全正色散被动锁模掺镱光纤激光器。在注入抽运功率为250mW时,得......
比较研究了si面、C面SiC外延石墨烯以及CVD石墨烯的硝酸掺杂效应。结果表明对C面SiC外延石墨烯和CVD石墨烯，硝酸掺杂显现出P型掺杂......
本文建立了半导体基外延石墨烯的物理模型,考虑原子的非简谐振动,研究了它的杂化势以及热电势随化学势和温度的变化规律,探讨了原......
立方碳化硅(3C-SiC)作为一种宽禁带半导体,是第三代宽禁带半导体基板材料的代表。目前常用的3C-SiC制备方法多使用四氯硅烷(SiCl_4......
考虑到原子的非简谐振动和电子-声子相互作用,建立了金属基外延石墨烯的物理模型,用固体物理理论和方法,得到金属基外延石墨烯的电......
应用固体物理理论和方法，探讨了碱金属（锂、钠、钾、铷、铯）、石墨烯以及碱金属基外延石墨烯的态密度，进一步得出碱金属基底和吸附强弱......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
利用抛物型电子能谱模型,求出了半导体基底的态密度和半导体基底上形成的外延石墨烯的态密度,并与理想单层石墨烯的态密度相比较,......
作为可以在室温下稳定独立存在的平面材料,石墨烯是碳原子以sp2杂化形成的六角蜂窝状晶格结构的二维材料,也是构成石墨、碳纳米管......
石墨烯自发现以来以其优越的性质引起了广泛关注，在目前众多制备石墨烯的方法中，SiC外延法由于无须衬底转移并且与当前硅平面工艺相......
SiC衬底上获得大面积和高质量的石墨烯是富有挑战性的工作,石墨烯的材料确定和性能表征也非常重要。本文研究了SiC衬底外延石墨烯......
