通过对影响垂直腔面发射激光器(vertical cavity surface emitting laser, VCSEL)的功率转换效率的因素进行理论分析,得出斜率效率......

GaN基半导体材料作为一种新型的光电功能材料，具有较宽的直接带隙，优异的物理、化学稳定性，高饱和电子漂移速度，高击穿场强等突出优点，......

GaN作为第三代半导体材料,具有宽能带间隙、高电子迁移率以及高导热性等优异特性,基于GaN材料的蓝光LED引领了半导体照明技术的第......