多栅器件相关论文
传统平面器件按照等比例缩小理论进入纳米尺度后，器件尺度减小带来电场增强，使得平面晶体管的短沟效应和可靠性问题愈加严重，即使采用......
利用TCAD软件搭建高效的双栅及三栅FinFET模型,研究影响多栅器件性能的相关参数。结果显示,随着栅极有效控制面积的增加,器件栅控......
在CMOS器件发展过程中,器件尺寸不断缩小,由此人们提出了无结器件来提高小尺寸器件的各种特性。无结器件具有源/漏区域与沟道掺杂......
目前,半导体产业正在经历着巨大的变革,半导体器件的结构不在仅仅局限于传统的平面结构,而是向着三维立体化的新型器件结构发展。......
硅纳米线围栅器件结构凭借其理想的短沟道抑制能力和高驱动电流,是适合于纳米尺度领域应用的最理想器件结构。北京大学已经提出了......
