短沟效应相关论文
在IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,IMEC报告了一项重大进展,即在32nm节点上,利用铪基高k介质和TaC金属栅极可显著提高平面CMOS的性......
采用表沟p+多晶硅栅/PMOSFET代替埋沟n+多晶硅栅/PMOSFET具有易于调节阈值电压、降低短沟效应和提高器件开关特性的优点,因而在深......
提出一种可用于亚微米金属氧化物场效应晶体管的器件模型,它兼具了形式简洁和精度相当于BSIM3模型的特点,在此基础上讨论了器件电......
通过模拟和实验研究了不同的halo注入角度的NMOSFET，研究发现halo的注入角度越大，热载流子效应的退化越严重。考虑到由于热载流子的......
随着半导体制造技术的不断改善和工艺的不断升级,精确的模型参数对于代工厂和设计者尤为重要。而参数提取策略的选择是整个参数提......
随着集成电路产业的迅速发展,CMOS工艺已进入≥22nm特征尺寸的研究。讨论了Halo结构在当前工艺尺寸等比例缩小挑战背景下的应用情......
基于是荷分享原理，推导了双栅和环栅MOSFET短沟效应引起的阈值电压下降，分析了衬底掺杂浓度、栅氧化层厚度及硅膜厚度等因素对阈值电......
使用三维模拟软件对具有FINFET的多栅结构(主要是双栅和三栅)进行了模拟，对比了双栅和三栅的I-V特性，发现三栅的特性要优于双栅；减小F......
分析了SOI器件各结构参数对器件性能的影响，给出了器件各结构参数的优化方向，找出了可行硅膜厚度和可行沟道掺杂浓度之间的设计容区．......
提出了DMOS器件的二维电荷阈值电压模型.基于沟道区杂质的二维分布,求解泊松方程,得到沟道区中耗尽电荷总量,给出DMOS二维阈值电压......
短沟效应是MOS器件特征尺寸缩小面对的关键挑战之一。Halo结构能够有效抑制短沟效应,合理的Halo区掺杂分布可以改善小尺寸器件性能......
研究一种具有部分重叠双栅结构MOSFET器件模型,并将其与类似的分裂双栅结构MOSFET及普通栅结构MOSFET器件进行比较,利用MEDICI软件......
硅纳米线围栅器件结构凭借其理想的短沟道抑制能力和高驱动电流,是适合于纳米尺度领域应用的最理想器件结构。北京大学已经提出了......
CMOS的发展紧随摩尔定律的步伐不断缩小特征尺寸的同时,不断增加的亚阈值电流和栅介质漏电流成为了阻碍工艺进一步发展的主要因素......
集成电路持续朝着速度更快、面积更小、功耗更低的方向高速发展。从器件物理的角度来看,器件的尺寸越小,渡越时间越短,速度也越高;......
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