多栅结构相关论文
本文研究了高效MBB组件设计优化及性能，CSI半片MBB技术功率高达370W(多晶)，9栅线电池设计降低银浆耗量-30％，半片独特电路设计降低热斑......
介绍了在进入22nm技术节点后MOSFET器件的两个发展方向,即多栅结构和应变硅纳米线结构。首先通过分析特征长度与有效栅极数量的关......
随着器件尺寸的不断缩小，器件的小尺寸效应越来越严重，传统的平面结构MOSFET已经达到其物理极限。为了克服短沟道效应，出现了很多新型......
