沟道效应相关论文
假设超晶格锯齿形沟道对粒子的作用等效为形状相似的周期场作用，在经典力学框架内和小振幅近似下，利用正弦平方势，把粒子运动方程化为......
从势和场的观点出发讨论了带电粒子在应变超晶格中的运动行为.在经典力学框架内和偶极近似下,引入正弦平方势,把粒子运动方程化为......
从速率方程出发对双区共腔（ｃｏｍｍｏｎ－ｃａｖｉｔｙｔｗｏｓｅｃｔｉｏｎ简称ＣＣＴＳ）光双稳激光器进行了精确的理论分析与计算，并对其稳态特性进行了实验研究和测试，得出了定量和定性的分......
本文基于二维泊松方程,建立了适用于亚100nm应变Si/SiGe nMOSFET的阈值电压理论模型.为了保证该模型的准确性,同时考虑了器件尺寸......
SOI技术在上世纪80年代开始发展,其性能优势得到业界公认,如抗辐射、低功耗、高速、工艺简单等,被认为是“二十一世纪的硅集成电路......
随着产生低速高电荷态离子源性能的提高，高电荷态离子与固体间的相互作用正在受到越来越多地关注。特别是，关于高电荷态离子在固体表......
采用卢瑟福背散射方法,测得了每质子能量为650 keV的H+2,H+3团簇离子在Si晶体和沟道条件下的质子背散射能谱.结果发现,由于H+2,H+3......
利用正弦平方势 ,把粒子运动方程化为具有运动阻尼和周期调制的摆方程 .利用Melnikov方法分析了系统的全局分叉和混沌行为 ,指出了......
采用低能Ar离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上制备Ag膜。实验发现,用Ar离子束溅射沉积的Ag膜呈(111)择优取向。若在溅射沉积A......
以离子注入工艺为例 ,通过研究沟道效应对离子注入工艺的影响 ,提出了建立设备模型的必要性 ,并进行了离子注入设备模型的初步研究......
采用卢瑟福背散射方法,测得了每质子能量为650 keV的H+2,H+3团簇离子在Si晶体和沟道条件下的质子背散射能谱.结果发现,由于H+2,H+3......
在量子力学的框架内描述了带电粒子与晶体相互作用,利用正弦平方势把沟道粒子的Schr(o)dinger方程化为Mathieu方程,根据Bloch定理......
不同电荷态低速离子(Arq+,Pbq+)轰击Si(110)晶面,测量不同入射角情况下的次级粒子的产额.通过比较溅射产额与入射角的关系,证实沟......
近年来发展起来的新毛细管光学聚焦元件由许多根弯曲的多層壁碳纳米管组成,能被用来产生高强度的nm级X射线微束。作为软X射线布拉......
引入正弦平方势，在小振幅近似下，把粒子运动方程化为具有多频激励的Dulling方程。并用Melnikov方法分析了系统的全局分又与混沌行为......
碳纳米管绳是近年来产生的超晶格结构的大单晶体。高能粒子在碳纳米管绳里的沟道效应，显示大的沟道直径和微弱的退沟道因子。在粒子......
以离子注入工艺为例，通过研究沟道效应对离子注入工艺的影响，提出了建立设备模型的必要性，并且编程加以实现。......
假设超晶格的“锯齿形”沟道对粒子的作用可等效为形状相似的周期调制，引入正弦平方势，并在小振幅近似下，把粒子运动方程化为具有硬弹......
假设超晶格“折沟道”对粒子的作用等效为形状相似的周期调制，利用正弦平方势把粒子运动方程化为具有阻尼力和周期调制的非线性微分......
随着集成电路工艺的不断发展,工艺模拟软件功能也在不断的改善,但不足之处也不断暴露出来,工艺模拟过程中没有考虑仪器本身影响。......
利用正弦平方势, 把粒子运动方程化为具有δ力矩的摆方程. 分析了无扰动系统的相平面特征, 计算了扰动系统的退道效应. 讨论了退道......
根据同一晶向的晶面具有平移周期对称性,将托马斯-费米方程引入晶体的平面沟道中求解Si(110)平面沟道内的电场;然后把求得的结果用......
假设超品格“折沟道”对粒子的作用等效为形状相似的周期调制；引入正弦平方势，在小振幅近似下，把粒子运动方程化为具有双频激励的Duff......
高性能的铝薄膜因具有低的声阻抗而广泛应用于声表面波器件的制备。本文运用Ar离子束辅助沉积技术，在64°Y-X切向的铌酸锂基片......
研究主要聚焦在批处理离子注入机台的沟道效应和锥角效应,以及阐述由于这些效应导致的晶圆片上的均匀性问题和产品上的良率损失。......
离子注入自70年代实用化以来已发展成半导体工艺的基础技术之一，在VLSI制造工艺中，离子注入的主要作用是改变衬底的电学特性，其最重要......
离子注入中的沟道效应使注入离子在深度上的控制变得很困难,并使SHEET值的均一性恶化.本文借助计算机模型,对注入剂量、注入能量、......
本博士论文较为系统的研究了高电荷态Arq+(q≤17)离子以掠角入射到单晶体Al(111)上的能损、电子发射和x射线发射。基于“经典过垒......
In this report, using computer simulations, we investigate the channeling of high-energy charged particles in nanotube r......
本文利用Moliere展开势,将粒子运动方程化为非线性微分方程;并用PLK方法找到了该方程的近似解析解;进一步讨论了系统的非线性特征,......
本文介绍沟道-背散射分析的实验装置。用沟道-背散射方法进行了辐射损伤测定、表面组分分析、异质外延层的缺陷分析,得到了一些对......
本文考虑沟道效应对价电子阻尼能力的影响,计算了质子入射到金刚石晶体<110><111>和<100>三个沟道方向的能量损失。不仅在计算方法......
碳纳米管绳是近年来才产生的超晶格结构的大单晶体。荷能带电粒子在碳纳米管绳内的沟道效应显示出大的沟道直径和微弱的退沟道因子......
本文采用蒙特卡洛方法模拟低能Si~+离子注入GaAs单晶的力学运动,以此考察了低指数轴沟道,高指数轴沟道和平面沟道的沟道效应对射程......
本文介绍离子注入应用于硅器件制造中的方法和设计指南。其中包括硅片在注入时的适当倾斜和在注入后为消除注入损伤所必要的热处理......
精密长光栅作为高档数控机床中的核心部件,其制造能力和精度直接影响着数控机床的制造水平.针对纳米滚压印技术制备长光栅中的核心......
聚焦离子束技术作为一种直接加工微纳米结构的工具,在很多领域有着重要的应用。但在实际应用中,它并不能总是如人所愿,加工出的结......
介绍了一种P型超浅结的制作工艺。该工艺通过F离子注入和快速热退火技术相结合,获得了比较先进的100nm以内的P型超浅结;重点研究了......
在对深亚微米技术的探索中,通过实践,得到了100 nm以下N型高掺杂浓度超浅结的工艺流程。介绍了采用低能量离子注入技术结合快速热......
<正> 一、问题的提出和实验方法 在低能注入B+浅结的过程中,沟道效应难以避免。为避免B+注入的沟道效应,本文采用100keV下5×1015c......
