金属-氧化物半导体场效应晶体管相关论文
研究了铪基金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistors,MOSFETs)栅介质中陷阱诱导的退......
碳化硅（SiC）金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件具有耐高压、耐高温、开关频率高、导通电阻低等特性,但现有的封装材料、工艺......
针对雪崩工况下碳化硅(SiC)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)芯片温升大影响材料热参数变化,往往导致温度计算不准确的问题......
碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)结温的精准估计是其损耗计算、寿命预测与可靠性评估的重要基础。SiC MOSFET的......
Si功率器件经历了晶体管、晶闸管,到MOSFET及IGBT,在阻断电压、开关特性等方面正在接近材料的理论上限。以SiC材料为代表的第三代......
随着器件尺寸的不断缩小，器件的小尺寸效应越来越严重，传统的平面结构MOSFET已经达到其物理极限。为了克服短沟道效应，出现了很多新型......
功率MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、安全工作区宽以及热稳定性好等特点，广泛地应用于开关电源、汽车电子、不间断电源和逆变器......
碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在高频、高压、大功率场合的研究和应用越来越多,能够提升变流器的效率和功率......
自2017年报道SiC(碳化硅)功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术进展以来,针对器件比导通电阻(RON,SP)高等问题不断优化......
三相四线制换流器能实现低压配电网三相不平衡等综合电能质量调节，在此结合碳化硅（SiC）金属．氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）对四桥臂......
针对碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)驱动电阻的选择问题,建立开关瞬态电路模型。通过数学推导定性分析,确立了......
针对新型宽禁带功率半导体器件碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),为了充分发挥其在高功率密度和高效率应用场合......
随着汽车电子技术的发展,使用电子冷却风扇替代传统风扇正成为一种发展趋势。电子风扇相较于传统风扇降低了发动机的功率损失及低......
综述了SiC材料、SiC二极管(SBD、JBS等)、SiC结型场效应晶体管(JFET)、SiC金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)和SiC绝缘栅双极型晶体......
大功率汽车电子冷却水泵是汽车发动机冷却系统的关键部件,电子水泵由电机驱动,可不受发动机工况影响。采用电子水泵替代机械水泵,......
为了进一步增强电磁超声激励源的激发效能,提高电磁超声换能器的工作效率,基于射频技术提出了一种DE类射频功率放大器,通过采用隔......
近年来,碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在电力电子领域的应用日益成熟。由于其具有损耗低、导通电阻小、开关......
