多节点翻转相关论文
在航空航天等高辐射领域中,电荷共享效应引起的多节点翻转(Multiple-Node Upset,MNU)在D锁存器中愈发频繁,其可严重影响电子系统的......
使用3D器件模拟了SEU加固单元的多节点翻转(multiple node upset ,MNU)问题.结果表明瞬时悬空节点和电荷横向扩散是MNU的关键原因.......
在纳米数字锁存器中,多节点翻转(multiple-node upset, MNU)正持续增加.虽然现有基于互连单元的抗辐射加固设计(radiation hardeni......
为解决纳米CMOS工艺下单粒子多节点翻转的问题,提出了一种加固存储单元(RH-12T).在Quatro-10T存储单元基础上对电路结构进行改进,......
使用3D器件模拟了SEU加固单元的多节点翻转（multiple node upset ,MNU）问题.结果表明瞬时悬空节点和电荷横向扩散是MNU的关键原因.对......
为了深入了解SEU加固存储单元中多节点翻转的内部电荷收集及电压变化机制,采用准三维模拟工具MEDICI,对DIED加固单元进行器件/电路......
为了能够容忍单粒子多节点翻转，提出了一种新颖的三模互锁加固锁存器。该锁存器使用具有过滤功能的代码字状态保存单元（CWSP）构成三模......
CMOS集成电路持续缩小带来的变化已经使静态随机存取存储器(Static Random Access Memory, SRAM)对空间和地面环境中的中子、质子......
提出一种新型高性能容错结构设计,以解决多节点问题造成的锁存逻辑错误.通过对多节点翻转可容忍锁存器结构的改进,弥补多节点翻转......
随着半导体工艺尺寸进入纳米尺度,器件之间的距离的减小,时钟频率不断增高,电路节点电容减小,关键电荷变小,导致电路节点之间的电......
随着IC集成度的不断提高,电路中单粒子引起的多节点翻转现象愈加频繁。为了解决该问题,提出了一种可对两个电压节点翻转完全免疫的......
