电荷收集相关论文
随着大型强子对撞机的升级,二维平面电极结构的标准内层像素探测器会暴露在一个强辐照环境下,探测器性能严重退化。而三维沟槽探测......
国内外的航天实践表明,单粒子效应（Single event effect,SEE）是空间环境中诱发卫星异常的主要因素之一,而随着半导体器件工艺尺寸的......
随着半导体科学技术和材料工艺的飞速发展,越来越多的新型半导体材料探测器开始进入人们的视野。最常用的半导体材料是锗和硅,在半......
学位
PbS量子点材料因其摩尔消光系数大、量子限域效应显著等特点,可以实现对太阳光红外区域的能量吸收,这对太阳能的利用具有非常重要......
在Ne、Fe、Kr、Xe、Ta五种重离子入射条件下获得了运放的SET幅值-宽度分布,发现SET脉冲具有宽、窄两种形态.在SET幅值-宽度特性基......
铁电阴极材料是一种在脉冲电压或激光激励下发射电子的新型阴极材料,本论文主要从理论和实验两个方面对铁电阴极发射特性及铁电体......
测量了脉冲激光诱发半导体p-n结的瞬态脉冲电流,研究瞬态脉冲幅值和收集电荷与能量、偏压及入射位置的相关性。研究结果表明,瞬态......
为了提高SOI器件抗总剂量能力，采用了倒掺杂结构。研究了倒掺杂结构PD SOI器件抗总剂量能力的增强，介绍了该结构对寄生NPN晶体管的抑......
基于标准0.13μm工艺使用Sentaurus TCAD软件采用3D器件/电路混合模拟方式仿真了buffer单元的单粒子瞬态脉冲。通过改变重离子的入......
使用3D器件模拟了SEU加固单元的多节点翻转（multiple node upset ,MNU）问题.结果表明瞬时悬空节点和电荷横向扩散是MNU的关键原因.对......
对国产锗硅异质结双极晶体管（SiGe HBT）进行了单粒子效应激光微束辐照试验,观测SiGeHBT单粒子效应的敏感区域,测试不同外加电压和不......
随着半导体工艺的发展,三维结构的FinFET器件出现了并发展成为半导体制造厂商的主流工艺而广泛应用在集成电路中。然而尺寸缩减引......
主要针对小尺寸MOSFET SEU的准三维模拟进行了研究，讨论了有关器件尺寸缩小等因素发生变化时，器件对SEU敏感性的变化情况。模拟结果......
中国航天科技的快速发展驱动集成电路系统在航空航天领域中有着广泛的应用,芯片制造工艺的特征尺寸不断缩小使得空间高能粒子辐射......
利用计算机辅助设计技术数值仿真工具,研究22 nm工艺技术节点下超薄体全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子瞬态效应,系统地分析了掺杂地......
文章叙述了极大体积（～220cm3）同轴HPGe探测器的研制及其性能。分析了各种因素对探测器系统分辨率的影响。探测器对60Co的1.33MeVγ射......
介绍了辐射效应,重点讲述了单粒子软错误效应。说明了单粒子软错误产生的物理机理,包含直接电离、间接电离和电荷收集。明确了临界......
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为高能物理实验建造的新一代大型强子对撞机需要性能优异的粒子探测器与之配合使用,新型粒子径迹探测器是当前研究的热点和重点器......
空间辐射效应是影响空间应用电子器件可靠性的主要因素。针对微米量级及以上器件的单粒子效应机理研究较为深入,出现了一系列较为......
基于TCAD（Technology Computer-Aided Design）3-D模拟,研究了25 nm鱼鳍型场效应晶体管（Fin Field Effect Transistor,FinFET）中单粒子......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
随着晶体管特征尺寸的缩减,集成电路对软错误的敏感性增加,为辐射环境下的集成电路(IC)带来了挑战,单粒子效应(SEE)已成为军用和商......
对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行了单粒子效应激光微束辐照试验,观测SiGeHBT单粒子效应的敏感区域,测试不同外加电压和......
期刊
活性层形貌以及界面修饰层是影响有机太阳能电池光电转换性能的主要方面。本论文利用新型窄带隙材料poly[4,8-bis(5-(2-ethylhexyl......
重离子微束辐照装置是一种将常规加速器产生的重离子束斑（直径为毫米量级）通过准直或聚焦的方法限制到微米水平的辐照装置。除了获得......
针对90 nm CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺,采用三维数值模拟方法,研究了反相器中NMOS(Negative channel-Met......
决定太阳能电池宏观光电转化效率的是其内部的微观电荷过程。如图1所示,太阳能电池的内量子效率由光吸收层(p)/电荷传输层(n+)界面......
染料敏化太阳能电池(DSSCs)因具有光电转换效率高、制备简单等优势,而受到了研究者们的广泛关注。在这类太阳能电池中,电子在光阳......
在纳米尺度下,单粒子效应的不仅将对航空航天应用产生更为严重的影响,而且对90nm及其以下工艺的地面应用产生的影响也愈发突出、严......
随着半导体技术的不断进步，越来越多的半导体器件应用于航天技术，其单粒子效应已经成为一个影响微电子器件可靠性的重要因素。作为一......
随着半导体工艺的发展，器件特征尺寸越来越小，单粒子辐射效应已经成为辐射环境微电子器件可靠性的一个主要的影响因素。器件尺寸缩小......
随着工艺尺寸的不断缩减,工作时钟频率的不断提高,单粒子瞬态(Single Event Transient, SET)逐渐超过单粒子翻转(Single Event Ups......
硅半导体探测器具有重量轻、响应速度快、灵敏度高、位置分辨率高、能量分辨率高、线性范围宽、易与其他探测器集成、抗辐照性能强......
介绍了一种65nm双阱CMOS工艺设计的六管SRAM单元的抗辐射性能。通过三维有限元数值模拟的方法,分析了SRAM单元的单粒子瞬态效应在N......
