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宽禁带Ⅱ相关论文
ZnO薄膜p型掺杂的研究进展
作为第3代新型宽禁带Ⅱ-Ⅵ化合物短波长半导体材料的氧化锌(ZnO),具有3.37eV的禁带宽度和较小的波尔半径(1.8nm)以及高达60meV的激子束......
期刊
单晶薄膜
半导体材料
应用前景
机电耦合系数
激子束缚能
质量
择优取向
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实际应用
光电器件
宽禁带Ⅱ
禁带宽度
激子发射
紫外光
氧化锌
室温下
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