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作为第3代新型宽禁带Ⅱ-Ⅵ化合物短波长半导体材料的氧化锌（ZnO），具有3.37eV的禁带宽度和较小的波尔半径（1.8nm）以及高达60meV的激子束......
用聚乙烯基咔唑(PVK)与十八胺(OA)按照四种不同配比混合,采用LB技术制备了多层复合有序膜,利用荧光光谱等手段对各种体系的激子发......
通过在低氧分压和真空中热处理ZnO粉末,获得了ZnO荧光粉.ZnO荧光粉有两个发射谱带,分别位于380 nm（紫外）和510 nm（绿色）.紫外谱带对应......
关于ZnO可见发射机制的讨论目前尚无定论.本文研究了不同颗粒尺寸的纳米晶ZnO胶体的发射性质,观测到两个发射带,其中之一是激子发......
研究ZnO薄膜质量与退火温度的关系,为了获得高质量的晶体薄膜,采用PECVD方法在硅(100)衬底上生长ZnO薄膜,生长温度为120℃,然后分......
目的研究衬底温度对ZnO薄膜结构和发光性能的影响及薄膜结构与发光性能两者之间的关系。方法在玻璃衬底上采用射频磁控溅射法,固定......
紫外波段激光器在信息显示和信息存储方面,具有存储密度高,反应速度快等特点,特别是在海底探测、紫外通讯、光存储、诊断防伪及检......
