激子束缚能相关论文
有机发光二极体(organic light emitting diode,OLED),又可称作有机电激发光(organic electroluminescence,OEL),成为现在国内外非......
会议
本文报道了用ＭＢＥ非平面生长方法制备的ＧａＡｓ脊形量子线发光性特实验研究．低温、微区、变温和极化光致发光谱等的测试分析表明：这种由｛１１３｝面构成的......
近年来，由于蓝绿发光二极管和激光二极管的发展，宽禁带ＩＩＩＶ 族氮化物和ＺｎＳｅ 基ＩＩＶＩ族半导体材料成为举世瞩目的研究热点之一。取得这些进展的......
简要介绍了量子结构材料与器件中的基本概念,重点介绍了量子结构的定义和量子尺寸效应的能带裁剪工程。以II-VI族化合物半导体为例......
氧化锌(ZnO)是直接宽带隙半导体材料,有高达60meV的激子束缚能,是下一代短波长光电材料的潜在材料。首先制备了优良的多孔氧化铝(A......
半导体超品格和量子阱结构形成了载流子的准二维体系,特别是正方向势阱压缩效应增强了电子-空穴间库仑相互作用,使得二维激子束缚......
ZnO作为一种宽带隙(3.37eV)半导体材料，在室温下具有较高的激子束缚能(60meV)，现已在发光二极管和激光器件等领域进行了广泛研究......
会议
ZnO 薄膜是一种新型的Ⅱ-Ⅳ族直接宽带隙半导体材料.室温下禁带宽度为3.37ev,激子束缚能高达60meV,更容易实现高效率的激子型......
小分子供体在太阳能电池中由于具有高纯度和结构自定义等优点而受到广泛的关注并得到快速发展[1]。理论研究对小分子供体材料......
ZnO 由于具有很好的光学性能(室温下,能隙宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV)[1]而存在众多潜在的应用(发光材料、太阳能电池等)......
利用一种共蒸发及后退火的方法制备出包埋在氧化镁薄膜基质中的氧化锌量子点.经过退火之后进行的X射线衍射(XBD)实验表明了氧化锌......
ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有直接宽带隙(室温下3.37eV),属于六方纤锌矿结构,在光电、压电及磁电子等诸多领域都具有优......
在有效质量近似下,本文采用类氢型的试探波函数,运用变分法系统地研究了外电场对闪锌矿InGaN/GaN耦合多量子阱中的类氢杂质态的影......
染料敏化太阳能电池(简称DSSC)是20世纪90年代发展起来的一种新型的太阳能电池。目前发展较为成熟的太阳能电池有：(1)硅系太阳能电......
作为第3代新型宽禁带Ⅱ-Ⅵ化合物短波长半导体材料的氧化锌（ZnO），具有3.37eV的禁带宽度和较小的波尔半径（1.8nm）以及高达60meV的激子束......
氧化锌(ZnO)是一种新型的宽禁带半导体,常温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,在蓝紫发光器件、紫外探测器、短波长激光二......
ZnO是一种具有纤锌矿晶体结构的直接宽带隙半导体材料，禁带宽度为3.37eV，室温下激子束缚能高达60meV，高于ZnSe和GaN。是一种理想的蓝......
过渡金属二硫化物是一类层状结构半导体,由于其在薄层情况下展现出的杰出的光电性能,使其成为当前的研究热点。薄层二硫化钼是过渡......
近年来,由于有机半导体具有柔性和易于制备等特点,有机光电器件越来越受到人们的关注。但是多数有机材料的电荷载流子迁移率比较低......
近年来,量子点在量子通信和信息处理上的潜在应用越来越受到人们的关注,尤其是量子逻辑门的实现,使得利用量子点进行量子计算成为......
以SiC, GaN等材料为代表的宽禁带半导体材料,由于带隙宽度大、抗辐射能力强、击穿电场高等特点,被称为第三代半导体材料。ZnO的优......
ZnO是一种新型的宽禁带化合物半导体材料，其室温禁带宽度为3．37eV，熔点为2230K，具有良好的热稳定性和化学稳定性以及更短的激射波长，是......
碳纳米管是全碳原子组成的准一维管状纳米结构材料，有着十分奇特而丰富的物理和化学性能。碳纳米管分单壁碳纳米管和多壁碳纳米管两......
